2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁(yè)
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1、二氧化硅薄膜的制備是微電子工藝中一項(xiàng)十分重要的技術(shù),針對(duì)不同用途的二氧化硅薄膜,各種新的沉積技術(shù)不斷涌現(xiàn)。而大氣壓射頻低溫等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)作為新型的薄膜沉積技術(shù)中一種比較具有代表性的技術(shù),越來(lái)越多地受到人們的重視。 本文介紹了利用大氣壓射頻低溫等離子體技術(shù)在硅和聚酰亞胺薄膜上沉積二氧化硅薄膜。我們討論了沉積溫度,輸入功率,氧氣流量等各種因素對(duì)薄膜生長(zhǎng)的影響。由實(shí)驗(yàn)結(jié)果可知沉積溫度與薄膜內(nèi)的有機(jī)成分的含量成反比,輸入功

2、率與沉積速率成正比,而氧氣的使用會(huì)對(duì)生長(zhǎng)速率有著明顯的促進(jìn)作用。此外我們還對(duì)沉積過(guò)程進(jìn)行了光譜分析,從光譜的角度解釋了薄膜生長(zhǎng)的一個(gè)可能的過(guò)程,同時(shí)我們還發(fā)現(xiàn)O(844nm)在薄膜的生長(zhǎng)過(guò)程中可能有著一些特殊的作用。 實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,利用該等離子體技術(shù)能成功地生長(zhǎng)出二氧化硅薄膜。常壓射頻低溫等離子體技術(shù)由于沒有真空室的限制,操作方便靈活,設(shè)備運(yùn)行及維護(hù)費(fèi)用低,同時(shí)沉積溫度較低,適用于許多低熔點(diǎn)的襯底材料,因此在薄膜沉積方面有著巨大

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