化學氣相沉積硅基薄膜的性能及機理研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、我們利用朗謬探針,針對微波電子回旋共振CVD制備非晶硅薄膜系統(tǒng),測試了等離子體特性自行設計加工的最近發(fā)展起來的Cat-CVD系統(tǒng)制備SiC薄膜,研究了襯底溫度、工作氣壓、氣體比例、襯底負偏壓等工藝條件對薄膜的影響.在不加熱襯底的條件下,僅通過觸媒(熱絲)的熱輻射,在實際襯底溫度低于300℃時,得了β-SiC薄膜.因此,不僅拓展了Cat-CVD制備技術的應用范圍,而且也使得CVD低溫制備β-SiC薄膜的工作進入了一個新的階段.進一步結合襯

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