化學(xué)液相沉積Al2O3薄膜鈍化P型黑硅的研究.pdf

1、表面鈍化技術(shù)作為半導(dǎo)體工藝中的重要環(huán)節(jié)已被廣泛應(yīng)用在了包括太陽能電池、集成電路等半導(dǎo)體器件的制造中。無機(jī)氧化物薄膜是半導(dǎo)體表面鈍化技術(shù)研究的重點，工藝較成熟的有二氧化硅、氮化硅、三氧化二鋁等。其中，由于三氧化二鋁薄膜中存在大量的固定負(fù)電荷，因而非常適合做p型硅太陽能電池的表面鈍化材料。為了能夠在簡易的條件下制備出氧化物薄膜，化學(xué)液相沉積氧化鋁引起了人們極大的興趣。在本文中，我們首先在p型硅襯底上使用化學(xué)液相沉積法(CLD)沉積了Al2O

2、3薄膜。然后將沉積好的樣品在不同的溫度下退火，通過XRD、SEM等測試手段對薄膜的成分、晶體結(jié)構(gòu)、表面形貌、厚度以及反射率等物理參數(shù)進(jìn)行了研究。研究發(fā)現(xiàn)薄膜生長均勻，并且退火溫度對薄膜的晶型很大影響;但是由于全反射效應(yīng)的影響鈍化后樣品的反射率有所增加。最后使用C-V（電容-電壓測試）、SPV（表面光伏普）等測試手段著重對氧化鋁薄膜中的固定電荷密度Al2O3薄膜的鈍化效果進(jìn)行了分析。由于鈍化膜中氧元素的含量較低導(dǎo)致使用化學(xué)液相沉積法可以在