單晶硅表面金字塔大小與少子壽命的關(guān)系.pdf

1、高效晶體硅太陽能電池是光伏發(fā)電領域的熱門研究之一。有效調(diào)節(jié)單晶硅表面金字塔大小是太陽能研究中一個重點技術(shù)。在反映半導體材料與器件性質(zhì)的多個物理參數(shù)中,少子壽命(τ)有著非常重要的作用,測量少子壽命是評價原材料和器件工藝的主要方法之一。在切割后,原始硅片表面上存在著大量的不飽和鍵,這些不飽和鍵會在硅片表面形成一個個的復合中心,載流子在這些復合中心進行復合,從而降低硅片的少子壽命。少子壽命對器件的重要性是不言而喻的,結(jié)論也是顯而易見的。長的

2、少子壽命可制備高性能的電池,反之,電池的轉(zhuǎn)換效率將大大降低。非平衡載流子復合是決定少子壽命的關(guān)鍵因素。而單晶硅表面鈍化后少子壽命、太陽能電池轉(zhuǎn)換效率與單晶硅表面金字塔大小、形貌和分布密切相關(guān)。本文用不同的堿液刻蝕單晶硅表面,用SEM觀察其表面絨面結(jié)構(gòu),測量了不同堿液刻蝕的單晶硅表面的少子壽命以及對應太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率。實驗研究表明:不同堿液刻蝕的單晶硅表面絨面結(jié)構(gòu)形貌差異大,少子壽命明顯不同。進一步研究發(fā)現(xiàn):絨面上金字塔尺寸大、并且分