

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文檔簡介
1、為了提高M(jìn)oS2薄膜在室溫潮濕大氣條件下的摩擦磨損性能,本文采用磁控濺射方法制備了MoS2-Ti-WS2、MoS2-Ti-C和MoS2-TiN復(fù)合薄膜,作為比較在相同實(shí)驗(yàn)條件下制備了純MoS2和MoS2-Ti薄膜。采用能譜儀(EDS)、X射線衍射儀(XRD)、掃描電子顯微鏡(SEM)等對薄膜的成分、結(jié)構(gòu)和形貌進(jìn)行表征,采用納米壓痕儀、UMT-2多功能微摩擦磨損試驗(yàn)機(jī)等測試薄膜與基體的結(jié)合力、納米壓痕硬度以及摩擦系數(shù),并觀察薄膜的磨損形貌
2、,評價(jià)薄膜在室溫潮濕大氣條件下的摩擦磨損性能。
在濺射氣壓0.3 Pa條件下,采用磁控共濺射方法制備了MoS2-Ti-WS2復(fù)合薄膜,對薄膜的結(jié)構(gòu)進(jìn)行表征并測試其性能。研究結(jié)果表明:MoS2-Ti薄膜和MoS2-Ti-WS2復(fù)合薄膜均未出現(xiàn)(100)晶面衍射峰,結(jié)構(gòu)致密,表面沒有空洞,呈現(xiàn)納米晶粒聚集的島狀結(jié)構(gòu),未觀察到純MoS2薄膜的蠕蟲狀疏松結(jié)構(gòu)。與純MoS2和MoS2-Ti薄膜相比,MoS2-Ti-WS2復(fù)合薄膜具有更高
3、的納米壓痕硬度,更長的穩(wěn)態(tài)摩擦?xí)r間,更低的摩擦系數(shù),且摩擦系數(shù)波動(dòng)范圍更小。對薄膜的表面磨損形貌進(jìn)行測試,發(fā)現(xiàn)MoS2-Ti-WS2復(fù)合薄膜的磨痕深度和寬度小,磨損率更低,復(fù)合薄膜的耐磨性能明顯改善。
在濺射氣壓1 Pa條件下,采用反應(yīng)磁控濺射方法分別制備了MoS2-Ti-C和MoS2-TiN復(fù)合薄膜,對薄膜結(jié)構(gòu)進(jìn)行表征并測試其性能。研究結(jié)果表明:純 MoS2薄膜(100)晶面擇優(yōu)取向,為典型的第一類疏松多孔柱狀晶結(jié)構(gòu)薄膜;M
4、oS2-Ti薄膜具有(002)、(100)混合晶面取向,薄膜中存在疏松結(jié)構(gòu);而MoS2-Ti-C和MoS2-TiN復(fù)合薄膜(002)晶面擇優(yōu)取向,屬于第二類薄膜,薄膜結(jié)構(gòu)致密,未發(fā)現(xiàn)疏松結(jié)構(gòu),與基體的結(jié)合力及納米壓痕硬度明顯提高。在摩擦過程中,純 MoS2、MoS2-Ti薄膜的摩擦系數(shù)波動(dòng)大,摩擦系數(shù)較高,分別約為0.35和0.22;而MoS2-Ti-C和MoS2-TiN復(fù)合薄膜的摩擦系數(shù)穩(wěn)定,約為0.1。與純MoS2和MoS2-Ti薄
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