多晶硅太陽能電池酸腐蝕制絨研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、多晶制絨的主要目的是為了制備絨面以降低反射率。目前主流的制備多晶硅絨面的技術(shù)有:機械刻槽、激光刻槽、反應(yīng)離子刻蝕,酸腐蝕等。其中酸腐蝕法制備多晶硅絨面又因為其工藝成熟,價格低廉等優(yōu)勢成為了目前多晶硅太陽能電池行業(yè)制絨的主要方式。HF-HNO3-H2O體系是生產(chǎn)當(dāng)中比較常見的酸腐蝕法制絨體系,國內(nèi)外針對酸腐蝕制絨的研究很廣泛,也是近年來太陽能電池制絨研究的熱點之一。
  本論文在對國內(nèi)外文獻調(diào)研的基礎(chǔ)上,對工業(yè)化生產(chǎn)當(dāng)中的HF-HN

2、O3-H2O的制絨體系中的影響因素進行了研究。
  首先,研究了工業(yè)化酸腐蝕制絨過程中的主要工藝參數(shù):酸體積比例、酸濃度、反應(yīng)溫度、反應(yīng)時間、攪拌速率等工藝參數(shù)對制絨效果的影響。設(shè)置多組不同的工藝參數(shù)值,通過對實驗結(jié)果的對比,得出了各種工藝參數(shù)對制絨反應(yīng)的影響變化趨勢,在此基礎(chǔ)上得出了在反應(yīng)溫度6℃、酸比例1:5.5等的工藝參數(shù)下,得到了量產(chǎn)反射率為25%-26%的多晶硅絨面。
  其次,研究了一種添加劑冰醋酸對HF-HNO

3、3-H2O制絨體系的反應(yīng)速率、制絨效果、電池片電性能的影響。通過多組實驗數(shù)據(jù)的對比得出了HF酸與冰醋酸的體積比例為1:2的條件下,使得制絨后的硅片的反射率降低了2%。
  最后,針對酸腐蝕制絨過程中出現(xiàn)的“網(wǎng)紋”進行了系統(tǒng)的研究。研究了反應(yīng)溫度、酸體積比例、預(yù)溶硅的量對網(wǎng)紋形成的影響。最后得出了在反應(yīng)溫度為6℃、酸體積比例為1:5.5、預(yù)溶硅的濃度為1g/L的工藝參數(shù)條件下,網(wǎng)紋能夠基本消除。
  酸腐蝕制絨是目前晶體硅太陽

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