非晶—微晶薄膜的轉(zhuǎn)變研究.pdf

1、近些年來，隨著太陽能在光伏技術(shù)領(lǐng)域的日益發(fā)展，微晶硅薄膜材料以其無光致衰退效應(yīng)、光電性能好和成本低等優(yōu)點，慢慢成為國際上公認的新一代硅基薄膜太陽能電池材料。本文首先采用等離子體增強化學(xué)氣相沉積(PECVD)方法在玻璃襯底上制備出非晶硅薄膜，之后采用常規(guī)高溫退火法和微波退火法來獲得微晶硅薄膜。利用正交試驗法對射頻功率、氣體總壓、退火溫度、硅烷比例、沉積時間、退火時間因素對非晶硅薄膜的影響進行了研究，對透過率和電阻率與非晶硅薄膜的光電性能的

2、關(guān)系進行了分析。結(jié)果表明:對非晶硅薄膜透過率影響最大的因素應(yīng)是是氣體總壓，往下依次應(yīng)是沉積時間、退火時間、退火溫度、硅烷比例，其中射頻功率對實驗結(jié)果的影響最小;對非晶硅薄膜電阻率影響最大的因素則是硅烷比例，而射頻功率對非晶硅薄膜的影響次之，再往下依次則是沉積時間、退火時間、氣體總壓與退火溫度，綜合以上因素分析:工作壓強為100Pa、硅烷濃度為3％、射頻功率為90W、退火時間30min、沉積時間20min、退火溫度450℃，制備的非晶硅薄