半導(dǎo)體橋火工品靜電危害特性研究.pdf

1、為了探索半導(dǎo)體橋(SCB)火工品在靜電環(huán)境下的作用機(jī)理、易損特性和評(píng)估方法等,為SCB的靜電防護(hù)提供有效的參考依據(jù),使其更好的適應(yīng)日益復(fù)雜的電磁環(huán)境,本文就靜電脈沖對(duì)典型半導(dǎo)體橋(TSCB)和微型半導(dǎo)體橋(MSCB)的影響進(jìn)行了研究。具體如下:
　　 (1)研究了靜電作用下判別SCB失效的判據(jù),主要包括:微光顯微鏡(EMMI)、燒蝕面積、I-V曲線和電阻變化等。
　　 (2)通過ESD作用前后半導(dǎo)體橋的點(diǎn)火實(shí)驗(yàn),對(duì)點(diǎn)火時(shí)

2、間和點(diǎn)火能量進(jìn)行t-檢驗(yàn),得到:TSCB承受靜電放電電壓閾值為22kV,MSCB的失效閾值電壓為14kV。
　　 (3)通過D-最優(yōu)點(diǎn)火實(shí)驗(yàn),得到:靜電作用后TSCB和MSCB的全發(fā)火電壓降低,電流峰值對(duì)應(yīng)時(shí)間延遲,說明靜電作用使得橋的感度提高,點(diǎn)火可靠性下降;在等離子體點(diǎn)火情況下,靜電作用后的TSCB和MSCB,其形成等離子體的電壓二次峰延后,非等離子體點(diǎn)火時(shí),TSCB的峰值電壓和峰值電流延后,而MSCB的峰值電壓和峰值電流基

3、本不變;隨著靜電電壓的增大,靜電作用后TSCB的I-V曲線斜率變小,而MSCB的I-V曲線斜率變大;模擬人體靜電放電對(duì)TSCB和MSCB作用,發(fā)火概率為0,表明人體靜電對(duì)TSCB和MSCB安全。
　　 (4)探討了多次靜電放電對(duì)TSCB和MSCB性能的影響。對(duì)于TSCB而言,即使放電次數(shù)達(dá)到12次,橋區(qū)仍然不產(chǎn)生任何影響其性能的損傷;而對(duì)于MSCB來說,隨著放電次數(shù)的增多,橋區(qū)的燒蝕面積呈指數(shù)增長(zhǎng),當(dāng)達(dá)到8次時(shí),橋區(qū)爆發(fā),且靜電