半導體橋火工品靜電危害特性研究.pdf

1、為了探索半導體橋(SCB)火工品在靜電環(huán)境下的作用機理、易損特性和評估方法等,為SCB的靜電防護提供有效的參考依據(jù),使其更好的適應日益復雜的電磁環(huán)境,本文就靜電脈沖對典型半導體橋(TSCB)和微型半導體橋(MSCB)的影響進行了研究。具體如下:
　　 (1)研究了靜電作用下判別SCB失效的判據(jù),主要包括:微光顯微鏡(EMMI)、燒蝕面積、I-V曲線和電阻變化等。
　　 (2)通過ESD作用前后半導體橋的點火實驗,對點火時

2、間和點火能量進行t-檢驗,得到:TSCB承受靜電放電電壓閾值為22kV,MSCB的失效閾值電壓為14kV。
　　 (3)通過D-最優(yōu)點火實驗,得到:靜電作用后TSCB和MSCB的全發(fā)火電壓降低,電流峰值對應時間延遲,說明靜電作用使得橋的感度提高,點火可靠性下降;在等離子體點火情況下,靜電作用后的TSCB和MSCB,其形成等離子體的電壓二次峰延后,非等離子體點火時,TSCB的峰值電壓和峰值電流延后,而MSCB的峰值電壓和峰值電流基

3、本不變;隨著靜電電壓的增大,靜電作用后TSCB的I-V曲線斜率變小,而MSCB的I-V曲線斜率變大;模擬人體靜電放電對TSCB和MSCB作用,發(fā)火概率為0,表明人體靜電對TSCB和MSCB安全。
　　 (4)探討了多次靜電放電對TSCB和MSCB性能的影響。對于TSCB而言,即使放電次數(shù)達到12次,橋區(qū)仍然不產(chǎn)生任何影響其性能的損傷;而對于MSCB來說,隨著放電次數(shù)的增多,橋區(qū)的燒蝕面積呈指數(shù)增長,當達到8次時,橋區(qū)爆發(fā),且靜電