半導體橋火工品靜電響應特性及其靜電防護研究.pdf

1、本文研究了半導體橋(SCB)火工品的點火特性和SCB火工品在靜電環(huán)境下的響應特性，并用PSpice軟件對半導體橋靜電作用過程進行模擬，研究了半導體橋火工品靜電防護措施。具體如下:
　　(1)從放電時刻光斑大小、放電曲線、壓藥壓力等多個方面，比較了SCB火工品在電容放電和恒流源激勵兩種點火方式下的點火性能，掌握了SCB火工品在電容放電和直流點火兩種不同激勵方式下的點火規(guī)律。
　　(2)研究有無藥劑對半導體橋靜電作用的影響，以及

2、半導體橋在靜電作用后性能劣化以及未劣化情況下，半導體橋的性能變化規(guī)律。
　　(3)從橋面形狀設計和防護器件兩個方面研究了SCB火工品本征靜電防護:增大半導體橋芯片尺寸、避免容易使電流密集的尖角等特征形狀、并聯(lián)電容以及TVS二極管;使用PSpice軟件對半導體橋靜電作用過程進行仿真模擬，為下一步靜電防護模擬打下堅實基礎。
　　(4)探索了SCB火工品腳-殼間多種靜電防護的途徑。結果表明，管殼與腳線之間涂導電膠，在半導體橋陶瓷塞