半導體橋火工品靜電損傷及理論模擬.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本文通過靜電作用前后電阻變化規(guī)律、Ⅰ-Ⅴ特性曲線、發(fā)火電壓及臨界爆發(fā)電流等手段分析了半導體橋火工品的靜電作用特性。利用電磁場軟件Ansoft Maxwell對半導體橋的腳-殼間靜電作用進行模擬仿真。具體如下:
　　 (1)研究了靜電對標準半導體橋火工品的影響,標準半導體橋火工品可以耐受國軍標條件下(25kV,500pF,5000Ω)的靜電作用;但靜電作用使得TSCB鈍感,安全性沒有惡化,表現(xiàn)在全發(fā)火電壓上升,點火能量、電流峰值增

2、大,安全電流變化不明顯。不同的裝藥方式和不同的藥劑下,該規(guī)律一致。國軍標條件下的靜電作用同時使得TSCB的阻值變化不大,Ⅰ-Ⅴ曲線斜率下降。
　　 (2)研究了靜電對微型半導體橋火工品的影響,微型半導體橋火工品受到靜電作用后變得鈍感。微型半導體橋火工品性能劣化的閾值為13kV;隨著靜電電壓的增大,微型半導體橋火工品的阻值增加,Ⅰ-Ⅴ曲線斜率逐漸減小,這與橋體的形狀、摻雜率和芯片的負阻效應有關。
　　 (3)通過對標準半導

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