納米器件電荷共享效應(yīng)研究.pdf

1、我國航空航天技術(shù)正飛速發(fā)展，有越來越多的微電子器件、集成電路系統(tǒng)工作在外太空的輻射環(huán)境中，其中單粒子效應(yīng)是影響電子系統(tǒng)正常工作的主要原因。而隨著工藝特征尺寸的縮減并且進(jìn)入納米時代后，由單粒子效應(yīng)所引發(fā)的電荷共享效應(yīng)問題已經(jīng)異常嚴(yán)峻了。
　　電荷共享導(dǎo)致多個節(jié)點收集電荷，會引發(fā)多位瞬態(tài)脈沖和多位翻轉(zhuǎn)，這樣嚴(yán)重影響器件和電路的性能。一些傳統(tǒng)的對于單個器件的抗輻射加固方案隨著電荷共享加強而失效，尤其進(jìn)入納米工藝，單粒子所打入器件內(nèi)所輻射

2、的范圍大大增大，電荷共享所帶來的影響已經(jīng)無法忽略，因此本文將在以下幾個方面進(jìn)行全面研究。
　　本文基于TSMC65nm工藝，并利用Sentaurus TCAD軟件建立模型并研究NMOS和PMOS在電荷共享的物理機理，通過不同工藝尺寸對比觀察雙極放大效應(yīng)的變化。其次，通過不同入射條件、工藝條件，版圖布局來觀察電荷共享變化情況。最后，將研究SRAM基本單元的翻轉(zhuǎn)再恢復(fù)效應(yīng)，并證明電荷共享是導(dǎo)致其翻轉(zhuǎn)再恢復(fù)的原因，并研究了P+深阱濃度對