鋁鎵氮電子阻擋層對綠光LED性能影響的研究.pdf

1、近年來，由于藍光和綠光氮化鎵基發(fā)光二極管(GaN基LED)具有發(fā)光效率高、節(jié)能、壽命長、尺寸小和污染小，極大地激起了人們將之應用于背光源、汽車前燈、通用照明領域的研究興趣。雖然藍寶石襯底上氮化鎵基發(fā)光二極管產(chǎn)業(yè)取得了顯著發(fā)展，但在通用照明領域中，GaN基LED仍然需要更高的發(fā)光效率和光輸出功率。如何提高GaN基LED發(fā)光二極管的發(fā)光效率和光輸出功率受到了人們的廣泛關(guān)注。
　　本文采用Veeco K465i型MOCVD設備在2英寸(

2、0001)方向藍寶石平面襯底上生長氮化鎵基綠光外延片，并通過芯片標準工藝制成178×229μm2的LED芯片，以研究n-AlGaN電子阻擋層和p-AlGaN電子阻擋層對GaN基LED發(fā)光效率和發(fā)光強度的影響，具體的內(nèi)容如下：1、研究了在n-GaN與發(fā)光復合區(qū)之間的n-AlGaN電子阻擋層對LED光電性能的影響。其中在20mA驅(qū)動電流下，n-AlGaN在n型區(qū)作為電子阻擋層，相對于90nm的n-AlGaN的LED芯片Iv值305.2mcd

3、，100nm和110nm的n-AlGaN的LED芯片Iv值分別提高了5.4%和11.3%；2、研究了在p-GaN與發(fā)光復合區(qū)之間的p-AlGaN電子阻擋層對LED光電性能的影響。其中在20mA驅(qū)動電流下，p-AlGaN在p型區(qū)作為電子阻擋層，相對于50nm的p-AlGaN的LED芯片Iv值326.46mcd，55nm和60nm厚p-AlGaN層的綠光LED芯片Iv值分別下降了3.93%和6.88%。
　　上述結(jié)果表明，采用經(jīng)過優(yōu)化