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1、BGA(球柵陣列,Ball Grid Array)封裝是適應(yīng)當(dāng)前電子封裝技術(shù)朝輕薄短小多功能方向發(fā)展的一種新型技術(shù),它的優(yōu)點(diǎn)在于能夠?yàn)樾酒哂懈呙芏菼/O(輸入輸出input/output)端提供可能性。尤其是近年來,微電子產(chǎn)品的不斷小型化使得電子封裝間距以及封裝互連焊點(diǎn)的尺寸不斷變小,雖然焊點(diǎn)尺寸在減小,但其所承載的力學(xué)、電學(xué)和熱力學(xué)負(fù)荷卻越來越重,剪應(yīng)力作用下的釬焊凸點(diǎn)的力學(xué)性能變化已經(jīng)成為電子器件電路失效的重要原因。因此,微焊點(diǎn)良
2、好的剪切性能是器件高可靠性的保證。由于對(duì)小尺寸焊點(diǎn)的失效斷裂形式研究較少,所以有必要深入分析不同尺寸微焊點(diǎn)剪切強(qiáng)度的規(guī)律、斷口形貌與界面結(jié)構(gòu)的差異。
本文以Sn-3.0Ag-0.5Cu釬料為研究對(duì)象,焊球直徑分別為200μm、300μm、400μm、500μm,將其分別在Cu焊盤上和鍍鎳Cu焊盤上制作兩種微焊點(diǎn)。研究了回流焊后、160℃時(shí)效100h、200h焊點(diǎn)的剪切強(qiáng)度、斷口微觀形貌及界面結(jié)構(gòu)變化規(guī)律。
Sn-3.
3、0Ag-0.5Cu/Cu和Sn-3.0Ag-0.5Cu/Ni微焊點(diǎn)的剪切強(qiáng)度隨著焊球直徑的增大而降低,具有明顯的尺寸效應(yīng)。
兩類微焊點(diǎn)焊態(tài)下的剪切斷口形貌表明,焊點(diǎn)均斷裂于釬料內(nèi)部,呈韌性斷裂方式,韌窩呈拋物線形。隨著焊球尺寸的增大,斷口處的韌窩數(shù)量呈增多趨勢(shì),但韌窩的寬度和深度變小變淺。時(shí)效試驗(yàn)后,仍然斷裂于釬料內(nèi)部,拋物線型韌窩拉長(zhǎng),韌窩數(shù)量減少,韌窩深度變淺,材料的塑性韌性下降,但仍呈韌性斷裂方式。
隨著時(shí)效時(shí)
4、間的延長(zhǎng),相同直徑焊點(diǎn)接頭的界面IMC厚度呈增大趨勢(shì)。焊點(diǎn)尺寸相同時(shí),在Ni基板上形成IMC層厚度明顯比在Cu基板上形成IMC薄,說明Ni元素阻擋了Cu、Sn原子之間的相互擴(kuò)散,抑制了IMC的生長(zhǎng)。
Sn-3.0Ag-0.5Cu/Cu焊點(diǎn)界面IMC主要是Cu6Sn5,時(shí)效后有化合物Cu3Sn的生成。Sn-3.0Ag-0.5Cu/Ni焊點(diǎn)界面IMC層主要是(Cu,Ni)6Sn5,時(shí)效后有薄的Ni3Sn和Ni3Sn4的生成,時(shí)效后
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