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文檔簡介
1、低功耗設(shè)計(jì)是集成電路設(shè)計(jì)進(jìn)入納米時(shí)代后面臨的重要挑戰(zhàn)之一,多電壓供電技術(shù)(Multiple Supply Voltage,MSV)是在現(xiàn)有CMOS工藝下降低芯片功耗最有效的方法,目前在片上系統(tǒng)設(shè)計(jì)中主要以電壓島的形式手工加以實(shí)現(xiàn)。多電壓供電技術(shù),對電路的物理設(shè)計(jì)特別是布圖規(guī)劃問題提出了諸多挑戰(zhàn),在多電壓布圖規(guī)劃中,需要考慮電壓島的生成及電壓的分配、電平轉(zhuǎn)換器的布局、供電網(wǎng)絡(luò)的電壓完整性及芯片面積和線長等。本文針對多電壓布圖規(guī)劃問題進(jìn)行了
2、研究,提出了相應(yīng)的電壓島生成及布圖規(guī)劃方法,論文主要貢獻(xiàn)點(diǎn)如下:
非規(guī)則形電壓島生成及布圖規(guī)劃。在多電壓布圖規(guī)劃中,多電壓供電多以矩形電壓島的形式實(shí)現(xiàn),如果以更靈活的非規(guī)則形電壓島實(shí)現(xiàn),芯片功耗可以進(jìn)一步降低。本文提出了一種基于模擬退火的使用冒險(xiǎn)修補(bǔ)策略的非規(guī)則形電壓島布圖規(guī)劃算法,布圖表示采用序列對表示方法。在模擬退火算法的每次擾動(dòng)中,從當(dāng)前布圖規(guī)劃中隨機(jī)選取一個(gè)模塊然后將其移動(dòng)到適當(dāng)?shù)奈恢茫煌奈恢每赡軐?yīng)不同的電壓島及
3、電壓分配。因移動(dòng)模塊而產(chǎn)生的領(lǐng)域解空間規(guī)模為O(n2kvi),其中n是模塊數(shù)目,kvi是電壓島數(shù)目。本文通過使用芯片面積、線長、功耗和電壓島代價(jià)線性組合的目標(biāo)函數(shù)來評估每個(gè)插入點(diǎn)以及相應(yīng)的候選電壓島。為了減小對O(n2kvi)種可能解的評估時(shí)間,本文基于序列對模型,定義了干擾因子的概念,并提出了一種快速的冒險(xiǎn)算法,通過忽略大部分距離較遠(yuǎn)的候選電壓島來構(gòu)建非規(guī)則形電壓島,然而構(gòu)建的電壓島中會(huì)偶爾出現(xiàn)數(shù)目較少的非法島(不連續(xù)區(qū)域的電壓島)。
4、為了消解可能出現(xiàn)的非法島,在每個(gè)溫度下我們使用修補(bǔ)策略來進(jìn)行一次詳細(xì)的計(jì)算。與最新的工作的實(shí)驗(yàn)結(jié)果對比表明本文提出的方法是快速有效的。
矩形電壓島生成的布圖規(guī)劃。在目前EDA工具中,電壓島多以矩形電壓域的形式實(shí)現(xiàn),同時(shí)依靠設(shè)計(jì)者手工完成。本文對現(xiàn)有基于模擬退火策略、采用模塊刪除后重插入的擾動(dòng)方式的多電壓布圖規(guī)劃方法提出了改進(jìn),在模塊刪除后重插入的擾動(dòng)過程中加入一定比例的對矩形電壓島的刪除和重插入,解決模塊刪除后重插入的擾動(dòng)方式
5、過于貪婪以致容易陷入局部最優(yōu)的缺點(diǎn);同時(shí)考慮到電壓島破壞了原本統(tǒng)一均勻的全局供電網(wǎng)絡(luò),本文還加入了對全局供電網(wǎng)絡(luò)電壓完整性考慮,采用Voltspot對供電網(wǎng)絡(luò)節(jié)點(diǎn)電壓進(jìn)行分析。實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示,所提方法能夠同時(shí)在線長、功耗以及電壓島數(shù)目等方面優(yōu)于現(xiàn)有方法,同時(shí)顯著降低電壓違例點(diǎn)的數(shù)目。
本文綜合分析了電壓島布圖規(guī)劃各個(gè)優(yōu)化目標(biāo)之間的競爭、增益關(guān)系,系統(tǒng)的歸納了電壓島布圖規(guī)劃的問題模型。論文成果可以應(yīng)用于現(xiàn)有EDA工具或與現(xiàn)有工具結(jié)
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