基于SnO和Si的異質(zhì)p-n結(jié)制備及性能研究.pdf

1、氧化物半導(dǎo)體作為一類(lèi)重要的半導(dǎo)體材料具有廣泛的應(yīng)用，比如氣敏傳感器、太陽(yáng)能電池、可充電鋰電池、光催化以及平板顯示器的驅(qū)動(dòng)元件等。然而多數(shù)氧化物半導(dǎo)體呈現(xiàn)本征n型電導(dǎo)。盡管研發(fā)獲得了一些p型氧化物半導(dǎo)體，但是和n型氧化物相比，其研發(fā)強(qiáng)度和性能還相差甚遠(yuǎn)。這種不均衡現(xiàn)象已經(jīng)嚴(yán)重阻礙了基于氧化物半導(dǎo)體的互補(bǔ)型電路、器件的發(fā)展與應(yīng)用。氧化亞錫（SnO）作為一種本征p型氧化物半導(dǎo)體材料，獲得了大量研究，比如作為鋰電池陽(yáng)極材料、p型或雙極性薄膜晶體

2、管以及p-n結(jié)中的p型半導(dǎo)體材料。p-n結(jié)是眾多半導(dǎo)體器件中的“基本骨架”，比如太陽(yáng)能電池、發(fā)光二極管、光電探測(cè)器以及雙極性晶體管等。
　　本研究主要內(nèi)容包括：⑴探索出了采用電子束蒸發(fā)結(jié)合紫外光刻技術(shù)制備異質(zhì)p-n結(jié)的方法，成功制備出了具有明顯整流效應(yīng)的SnO/Si異質(zhì)p-n結(jié)。⑵研究了退火溫度及氣氛、電極材料種類(lèi)以及p型SnO薄膜厚度等參量對(duì)該p-n結(jié)電學(xué)性能的影響。⑶通過(guò)深入分析SnO/Si異質(zhì)p-n結(jié)的電流—電壓及電容—電壓