版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進行舉報或認領(lǐng)
文檔簡介
1、ZnO是直接帶隙寬禁帶半導(dǎo)體材料,在p型單晶硅上沉積一層ZnO薄膜形成異質(zhì)結(jié)太陽能電池可以與Si形成窗口效應(yīng),分別吸收不同波長段的光子,更有效地利用太陽能光譜,同時由于氧化鋅的可見光透過率高,而硅的主要吸收光正好為可見光,導(dǎo)致可以更好的互不影響地對光的吸收與轉(zhuǎn)換,理論上可以獲得比硅電池更高的轉(zhuǎn)換效率。ZnO還具有原料豐富、價格便宜、生長溫度低、可見光透過率高、無毒無污染、熱穩(wěn)定性和化學(xué)穩(wěn)定性好、易刻蝕且可與已發(fā)展非常成熟的硅微電子集成工
2、藝相容等優(yōu)點,被廣泛應(yīng)用于太陽能電池、透明電極、光波導(dǎo)器件、液晶顯示和窗口材料等
本文使用射頻磁控濺射法在單晶硅襯底上制備ZnO薄膜,并制備面柵形電極和背電極制備成簡易太陽能電池,尤其關(guān)注ZnO薄膜膜厚、襯底加熱溫度和退火溫度等三個敏感和關(guān)鍵工藝,研究薄膜的結(jié)構(gòu)與各項光電性能得出ZnO薄膜膜厚、襯底加熱溫度和退火溫度對異質(zhì)結(jié)太陽能電池光電轉(zhuǎn)換性能的影響,得出結(jié)論如下:
1)在適當?shù)哪ず穹秶鷥?nèi),隨著膜厚的增加,
3、在氧化鋅本征吸收的小于380nm波長段的光的吸收增多,而400nm-800nm波長段的光吸收減少。
2)若ZnO薄膜過薄或過厚,電池的短路電流均會降低,量子效率與光電轉(zhuǎn)換效率也會降低。
3)鍍膜時間在30min的膜厚為153.0nm的樣品最適中,電池性能也最好,開路電壓為114mV,短路電流為203.3μA,最大功率為5662nW,轉(zhuǎn)換效率為0.12%。
4)襯底溫度的增加,薄膜樣品的電阻率逐漸
4、降低,透光率逐漸增大;而薄膜的表面粗糙度和顆粒尺寸先增大后減小。太陽電池的量子效率與電池性能均為先增大后減少,峰值在襯底溫度為350℃的樣品。
5)襯底溫度為350℃的樣品的薄膜樣品的表面平整度最好,結(jié)構(gòu)最完整,所得的電池的量子效率與電池性能也最好,短路電流為515.3μA,開路電壓為270mV,最大功率為28.3μW,轉(zhuǎn)換效率為0.58%。
6)已退火的樣品在薄膜質(zhì)量、光透過率、量子效率與電池性能等方面上均
5、比未退火的樣品性能要好,說明退火能有效的提高薄膜質(zhì)量以及樣品的光電性能。
7)隨著退火溫度的增加,薄膜樣品的晶粒尺寸逐漸增大,c軸擇優(yōu)取向生長性先變優(yōu)再減弱,粗糙度先減少再稍微增大,光透過率先增大后減少,異質(zhì)結(jié)太陽能電池的量子效率與電池性能也先變好再減弱。
8)退火溫度為400℃的樣品的結(jié)構(gòu)最完整,缺陷最少,光透過率最高,光電轉(zhuǎn)換性能也最好,短路電流為1589.0μA,開路電壓為194mV,填充因子為0.24
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- CdS-Si納米異質(zhì)結(jié)陣列制備與光電性能研究.pdf
- 一維ZnO納米結(jié)構(gòu)制備及其異質(zhì)結(jié)光電性能研究.pdf
- p-Si-n-SiC異質(zhì)結(jié)及其光電特性.pdf
- ZnO-Si異質(zhì)結(jié)特性研究.pdf
- 基于SnO和Si的異質(zhì)p-n結(jié)制備及性能研究.pdf
- 直流濺射法制備ZnO-Si異質(zhì)結(jié)的光電轉(zhuǎn)換特性研究.pdf
- Al-Sn摻雜的ZnO薄膜與AZO-p-Si異質(zhì)結(jié)的制備和性能研究.pdf
- ZnO-GaN異質(zhì)結(jié)LED的制備及光電性質(zhì)研究.pdf
- 基于ZnO的異質(zhì)結(jié)的組建及其光電性能研究.pdf
- SnS2-ZnO異質(zhì)結(jié)的制備及性能研究.pdf
- 銻摻雜ZnO納米線和p-ZnO薄膜-n-Si異質(zhì)結(jié)器件的制備及特性研究.pdf
- ZnO-SnS納米異質(zhì)結(jié)陣列的制備及光電特性研究.pdf
- Si基ZnO光伏器件制備及光電性能研究.pdf
- ZnMgO薄膜及其異質(zhì)結(jié)的制備及光電性能研究.pdf
- n-ZnO-p-GaN異質(zhì)結(jié)發(fā)光器件的制備及其光電性能研究.pdf
- 納米ZnO和ZnO-Ag異質(zhì)結(jié)的制備及抗菌性能研究.pdf
- ZnO-Si異質(zhì)結(jié)太陽能電池的制備.pdf
- Si-SiC異質(zhì)結(jié)的制備及其光電特性的改善.pdf
- 硫化物異質(zhì)結(jié)的制備及光電性能的研究.pdf
- Si基ZnO——維納米結(jié)構(gòu)光伏器件制備及光電性能研究.pdf
評論
0/150
提交評論