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1、ZnO是一種Ⅱ-Ⅳ族直接帶隙寬禁帶半導(dǎo)體,摻入Mg形成三元合金Zn1-xMgxO,其禁帶寬度會(huì)隨著Mg含量的變化從3.37eV連續(xù)調(diào)制到4.0eV。從而可以調(diào)節(jié)ZnO的發(fā)光特性,提高紫外光的發(fā)光效率,在半導(dǎo)體激光器、光學(xué)帶隙工程和薄膜太陽(yáng)能電池中具有較大的應(yīng)用潛力。Al摻雜ZnO薄膜是一種新型透明導(dǎo)電薄膜,具有優(yōu)良的光電特性,來(lái)源豐富,無(wú)毒,價(jià)格低廉,同時(shí)具有很高的熱穩(wěn)定性和化學(xué)穩(wěn)定性,是理想的ITO替代材料。廣泛應(yīng)用于氣敏傳感器、平板
2、顯示器以及太陽(yáng)能電池中。在太陽(yáng)能電池中的主要應(yīng)用是作為窗口透明電極,而在硅襯底上直接沉積ZnO:Al薄膜制備ZnO:Al/Si異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的研究較少,其具有優(yōu)良的光伏效應(yīng),且制作工藝簡(jiǎn)單,制備溫度較低,具有一定的潛在應(yīng)用價(jià)值。
本文采用射頻磁控濺射法制備了不同Mg含量的Zn1-xMgxO薄膜,并對(duì)Zn0.88Mg0.12O薄膜進(jìn)行了退火,研究了薄膜樣品的結(jié)構(gòu)、形貌和光學(xué)性能。此外,在制絨硅襯底上射頻濺射ZnO:Al薄膜
3、,制備了ZnO:Al/Si異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池,考察了襯底溫度、氧氬比、濺射功率對(duì)ZnO:Al薄膜結(jié)構(gòu)、形貌的影響以及對(duì)ZnO:Al/Si異質(zhì)結(jié)電池性能的影響,實(shí)驗(yàn)過(guò)程和結(jié)論如下:
1).ZnO靶材上放置高純Mg片,運(yùn)用射頻磁控濺射法在普通玻璃上制備了Zn1-xMgxO(x=0.1,0.16,0.18,0.24)薄膜。所有樣品均呈ZnO的六角纖鋅礦結(jié)構(gòu),Mg2+有效地替代了Zn2+;樣品表面顆粒均勻致密,可見(jiàn)光范圍內(nèi)光透過(guò)率達(dá)
4、90%左右;隨著Mg含量增多,Zn1-xMgxO薄膜的吸收邊和紫外發(fā)光峰均出現(xiàn)藍(lán)移,實(shí)現(xiàn)了對(duì)禁帶寬度的調(diào)節(jié)。
2).Zn0.88Mg0.12O薄膜在空氣中退火一小時(shí),隨退火溫度升高,樣品晶面間距減小,晶粒長(zhǎng)大,結(jié)晶質(zhì)量提高;樣品吸收邊稍向短波長(zhǎng)方向移動(dòng),禁帶寬度有所增大;紫外發(fā)射峰增強(qiáng),可見(jiàn)光發(fā)射峰相對(duì)減弱。
3).在NaOH與無(wú)水乙醇摩爾比為1:7,無(wú)水乙醇與去離子水的體積比為1:4的混合溶液中,反應(yīng)溫度維
5、持在90℃,反應(yīng)時(shí)間為30min時(shí),制備出的金字塔均勻致密,相鄰金字塔之間沒(méi)有空隙,且單個(gè)金字塔的尺寸均在2~10μm之間,絨面結(jié)構(gòu)比較理想。
4).濺射氣體為純氬氣,功率120W,襯底溫度分別為室溫、200℃、300℃、400℃、500℃時(shí):ZnO:Al薄膜在400℃時(shí)C軸擇優(yōu)取向性最好,(002)晶面衍射峰的半高寬最小,表面顆粒均勻致密,大小均在100nm左右,結(jié)晶質(zhì)量最好。隨襯底溫度升高,ZnO:Al/Si異質(zhì)結(jié)電池
6、的Voc增大,400℃時(shí)達(dá)最大,500℃時(shí)基本保持不變;Isc先增大后減小,500℃時(shí)Isc急劇減小。即,400℃時(shí)電池性能較優(yōu)。
5).襯底溫度400℃,功率120W,氧氬比分別為:0:20,3:17,5:15,7:13時(shí):ZnO:Al薄膜在純氬氣時(shí)的C軸擇優(yōu)取向性最好,(002)晶面衍射峰的半高寬最小,表面顆粒較大且均勻致密,結(jié)晶質(zhì)量最好。氧氬比不同,對(duì)ZnO:Al/Si異質(zhì)結(jié)電池的Voc影響不大;而隨氧氬比增大,Is
7、c迅速變小。即,純氬氣時(shí)電池性能較優(yōu)。
6).襯底溫度400℃,濺射氣體為純氬氣,功率分別為80W,120W,150W,180W時(shí):ZnO:Al薄膜在120W時(shí)的C軸擇優(yōu)取向性最好,表面顆粒均勻致密,結(jié)晶質(zhì)量最好。隨濺射功率增大,ZnO:Al/Si異質(zhì)結(jié)電池的Voc變化不大;Isc先增大后減小,120W時(shí)達(dá)最大。即,120W時(shí)電池性能較優(yōu)。
7).襯底溫度為400℃,濺射氣體為純氬氣,功率為120W時(shí),ZnO
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