ZnO-Si異質(zhì)結(jié)特性研究.pdf

1、寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體材料ZnO具有禁帶寬、激子能量大、高化學(xué)穩(wěn)定性和熱穩(wěn)定性等特點，使得目前高質(zhì)量ZnO材料和器件的制備成為國際上的研究熱點之一。ZnO在氣體傳感器、太陽能電池、紫外光電探測及激光器等許多領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。由于ZnO薄膜生長技術(shù)的發(fā)展，目前可以制備性能優(yōu)良的n型ZnO薄膜； 同為寬帶隙半導(dǎo)體材料的SiC具有高臨界擊穿電場、高熱導(dǎo)率、高載流子飽和漂移速度等優(yōu)點，特別適合制作光電子、抗輻射、高頻、大功率、高溫

2、、高壓等方面的半導(dǎo)體器件。在一些要求較高的器件方面，SiC已經(jīng)取代傳統(tǒng)的Si已成為國際上新的研究熱點之一。 本文詳細介紹了ZnO、SiC的性質(zhì)、材料制備及器件方面的研究；并簡要介紹了異質(zhì)結(jié)和異質(zhì)結(jié)構(gòu)的基本概念、特性和應(yīng)用；另外還著重介紹了采用脈沖激光沉積(PLD)技術(shù)和微電子平面工藝，用不同表面摻雜的Si作為襯底制備了ZnO/Si異質(zhì)結(jié)，并且以p-Si(p-)為襯底制備了ZnO(含Mn0.2％)/Si異質(zhì)結(jié)、包含SiC緩沖層的Z