一種小功率馬達(dá)用高壓柵驅(qū)動(dòng)電路的分析與設(shè)計(jì).pdf

1、本論文設(shè)計(jì)了一款用于驅(qū)動(dòng)中小功率電機(jī)的600V MOSFET柵驅(qū)動(dòng)芯片，該芯片屬于典型的數(shù)模混合高壓集成電路。在前人研究的基礎(chǔ)上，作者對(duì)全芯片電路進(jìn)行了分析、設(shè)計(jì)和仿真，對(duì)芯片抗噪聲性能進(jìn)行分析并給出了改進(jìn)的具備共模噪聲消除功能的噪聲消除技術(shù)，對(duì)電路版圖進(jìn)行了分析與設(shè)計(jì)，并完成了相關(guān)的DRC/LVS檢查，目前該芯片已流片。
　　本論文主要完成了以下四個(gè)方面的工作：
　　(1)完成了對(duì)國外同類芯片電路分析；
　　(2)分

2、析和設(shè)計(jì)了一款高壓柵驅(qū)動(dòng)電路并流片；
　　(3)對(duì)芯片抗噪聲性能進(jìn)行分析并給出改進(jìn)方法；
　　(4)完成了芯片測(cè)試及結(jié)果分析。
　　本論文的主要內(nèi)容安排如下：
　　第一章，緒論。介紹了課題的研究背景、意義和發(fā)展現(xiàn)狀，以及本論文所做的主要工作和設(shè)計(jì)指標(biāo)。
　　第二章，高壓柵驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)原理。簡(jiǎn)要介紹了芯片的引腳排列、功能、典型連接及應(yīng)用和外部元件選擇，重點(diǎn)介紹了芯片工作原理和該類芯片設(shè)計(jì)難點(diǎn)，特別是芯片抗dv

3、/dt和耐Vs負(fù)壓?jiǎn)栴}。
　　第三章，高壓柵驅(qū)動(dòng)電路及關(guān)鍵子模塊的分析與仿真。本章首先對(duì)芯片中大量使用的兩種結(jié)構(gòu)施密特觸發(fā)器進(jìn)行了對(duì)比分析，接著用人量篇幅重點(diǎn)分析了死區(qū)時(shí)間產(chǎn)生電路和高壓電平位移電路。采用Cadence和Hspice對(duì)所設(shè)計(jì)電路進(jìn)行模擬仿真，仿真結(jié)果表明：電路功能和性能均已達(dá)到設(shè)計(jì)要求。
　　第四章，高壓柵驅(qū)動(dòng)電路噪聲分析及抑制。首先根據(jù)第二章第三節(jié)對(duì)dv/dt和Vs負(fù)壓?jiǎn)栴}的分析提出噪聲抑制的思路，然后對(duì)傳

4、統(tǒng)噪聲消除技術(shù)進(jìn)行分析，指出其存在的缺點(diǎn)并給出改進(jìn)噪聲消除技術(shù)即共模噪聲消除電路。采用改進(jìn)噪聲消除技術(shù)芯片能在實(shí)現(xiàn)抗dv/dt性能與采用傳統(tǒng)噪聲消除技術(shù)相同前提下，極大地提高芯片耐Vs負(fù)壓性能。
　　第五章，版圖設(shè)計(jì)與芯片測(cè)試。參考上華700V高低壓兼容工藝進(jìn)行工藝設(shè)計(jì)，首先對(duì)流片工藝和器件進(jìn)行簡(jiǎn)單介紹，之后重點(diǎn)介紹版圖設(shè)計(jì)特別是版圖設(shè)計(jì)中需要注意和仔細(xì)考慮的問題。最后，給出此次流片的測(cè)試結(jié)果并進(jìn)行簡(jiǎn)單分析，測(cè)試結(jié)果說明除個(gè)別指標(biāo)