高壓功率MOS柵驅動電路的研究和實現.pdf

1、本文在分析了國內外高壓集成電路發(fā)展現狀的基礎上，研制了一種用于功率MOSFET、IGBT柵極驅動的600V高壓功率集成數?；旌想娐稰IC 并建立了相應的工藝平臺。本文所設計的HVIC在工藝上采用ABCD技術，將多種器件如高壓LDMOS、NMOS、PMOS、各種擊穿電壓不等的ZENER管、二極管，電阻，電容等集成在同一芯片上，并保證電路在600V高壓下協(xié)同工作。在電路設計中，作者分析了功率器件對驅動電路的要求，設計了驅動電路的總體結構

2、。對電路關鍵參數高低壓電平位移脈沖寬度、高端濾波電路濾波寬度以及電平移位電路中與ZENER管并聯(lián)的電阻的大小等進行了重點分析，并完成了各單元電路的設計，包括欠壓保護電路的設計、為防止高壓直流電路直臂導通，設計了合理的死區(qū)時間、并通過控制工作在700V高壓的LDMOS的導通時間達到低功耗設計的目的、輸出模塊采用推挽輸出結構。為確保電路能正常工作，對電路中的關鍵元件LDMOS及耐高壓的終端結構的設計進行了仿真和試制驗證，確保其可行性。在