高壓功率MOS柵驅(qū)動(dòng)電路的研究和實(shí)現(xiàn).pdf

1、本文在分析了國(guó)內(nèi)外高壓集成電路發(fā)展現(xiàn)狀的基礎(chǔ)上，研制了一種用于功率MOSFET、IGBT柵極驅(qū)動(dòng)的600V高壓功率集成數(shù)?；旌想娐稰IC 并建立了相應(yīng)的工藝平臺(tái)。本文所設(shè)計(jì)的HVIC在工藝上采用ABCD技術(shù)，將多種器件如高壓LDMOS、NMOS、PMOS、各種擊穿電壓不等的ZENER管、二極管，電阻，電容等集成在同一芯片上，并保證電路在600V高壓下協(xié)同工作。在電路設(shè)計(jì)中，作者分析了功率器件對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的要求，設(shè)計(jì)了驅(qū)動(dòng)電路的總體結(jié)構(gòu)

2、。對(duì)電路關(guān)鍵參數(shù)高低壓電平位移脈沖寬度、高端濾波電路濾波寬度以及電平移位電路中與ZENER管并聯(lián)的電阻的大小等進(jìn)行了重點(diǎn)分析，并完成了各單元電路的設(shè)計(jì)，包括欠壓保護(hù)電路的設(shè)計(jì)、為防止高壓直流電路直臂導(dǎo)通，設(shè)計(jì)了合理的死區(qū)時(shí)間、并通過(guò)控制工作在700V高壓的LDMOS的導(dǎo)通時(shí)間達(dá)到低功耗設(shè)計(jì)的目的、輸出模塊采用推挽輸出結(jié)構(gòu)。為確保電路能正常工作，對(duì)電路中的關(guān)鍵元件LDMOS及耐高壓的終端結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)進(jìn)行了仿真和試制驗(yàn)證，確保其可行性。在