功率集成電路中高壓MOS器件及其可靠性的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、浙江大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院碩士學(xué)位論文功率集成電路中高壓MOS器件及其可靠性的研究姓名：韓成功申請學(xué)位級別：碩士專業(yè)：微電子學(xué)與固體電子學(xué)指導(dǎo)教師：韓雁20100125浙江大學(xué)碩士學(xué)位論文3、對一種應(yīng)用于PDP掃描驅(qū)動芯片中的高壓PEDMOS器件進行了優(yōu)化設(shè)計。原芯片中驅(qū)動管NVDMOS的擊穿電壓為180V，而PEDMOS的擊穿電壓為170V，使得整體芯片的耐壓受限只達(dá)到170V，相對于160V的正常工作電壓，裕量不足。通過對器件的結(jié)構(gòu)

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