CVD法制備銻摻雜SnO2薄膜及其同質(zhì)器件的特性研究.pdf

1、分類號：密 級：學校代碼： 1 0 1 6 5學 號： 2 0 1 1 1 0 9 3 6蓬享研耗大學碩士學位論文C V D 法制備銻摻雜S n 0 2 薄膜及其同質(zhì)器件的特性研究作者姓名：學科、專業(yè)：研究方向：導師姓名：劉洋凝聚態(tài)物理納米材料和介觀物理馮秋菊副教授2014 年0 3 月遼寧師范大學碩士學位論文摘 要氧化錫( S n 0 2 ) 是一種新型的寬禁帶半導體材料，室溫下，禁帶寬度為3 ．6 e V 。由于其具有可見光透光性好

2、、電阻率低、物理化學性質(zhì)穩(wěn)定等特點，已被廣泛應用于氣敏傳感器、透明導電薄膜及光電器件等領(lǐng)域。由于本征S n 0 2 為l ' l 型半導體材料，因此，通過摻雜得到光電性能良好的P 型S n 0 2 材料成為了當今研究的熱點和難點。本文采用C V D 法成功制備出不同S b 摻雜含量的P 型S n 0 2 薄膜和p ．S n 0 2 ：S b ／n ．S n 0 2 的同質(zhì)p - n結(jié)器件，并對其結(jié)構(gòu)、光電等特性進行了研究，具體研

3、究內(nèi)容如下：( 1 ) 利用C V D 法在藍寶石襯底上制備出不同s b 摻雜量的S n 0 2 薄膜，并研究了不同S b 含量對S n 0 2 薄膜的表面形貌、晶體結(jié)構(gòu)、光學和電學性質(zhì)的影響。研究發(fā)現(xiàn)隨著S b 含量的增加，樣品表面變得平滑，晶粒尺寸逐漸增大，而且晶體質(zhì)量有所改善，結(jié)果表明少量S b 的摻入起到表面活化劑的作用。此外，我們還發(fā)現(xiàn)隨著S b 含量的增加，樣品的光學帶隙出現(xiàn)了藍移現(xiàn)象，而且H a l l 測量結(jié)果也證實適量

4、S b 的摻雜可以使S n 0 2呈現(xiàn)P 型導電特性，當S b 2 0 3 ／S n O 的質(zhì)量比為1 ：5 時，其電學參數(shù)為最佳值。( 2 ) 采用C V D 法，在硅和藍寶石襯底上成功的制備出S b 摻雜S n 0 2 薄膜以及p - S n 0 2 ／n - S n 0 2 同質(zhì)p - n 結(jié)器件。X 射線衍射( X R D ) 、掃描電子顯微鏡( S E M ) 測試結(jié)果表明：在藍寶石襯底上生長的S n 0 2 薄膜晶體質(zhì)量較好