Sb、Mg摻雜SnO2薄膜光電性質(zhì)的研究.pdf

1、我們對SnO2:Sb和SnO2:Mg薄膜的光電性質(zhì)進(jìn)行了相關(guān)研究。文章主要分為兩部分。首先系統(tǒng)地研究了Sb摻雜濃度對SnO2:Sb薄膜光電性質(zhì)的影響。XRD測試結(jié)果表明，制備的所有薄膜均為SnO2四方金紅石結(jié)構(gòu)。在紫外-可見波長范圍內(nèi)測試了試樣的光吸收圖譜，根據(jù)(αhν)2～hν曲線可以得到其光學(xué)帶隙Eg，且Eg隨摻雜濃度的不同而發(fā)生變化。為了進(jìn)一步研究摻雜對光學(xué)性能的影響，我們對其光致發(fā)光PL譜進(jìn)行了詳細(xì)研究，發(fā)光譜圖顯示隨著Sb摻雜

2、濃度的增加，占主導(dǎo)地位的可見光逐漸向紫外發(fā)光區(qū)域演變。由于摻雜會對薄膜的結(jié)構(gòu)及結(jié)晶質(zhì)量產(chǎn)生影響，從而導(dǎo)致其電學(xué)性質(zhì)也會隨摻雜濃度發(fā)生變化。
　　其次是SnO2:Mg薄膜光電性質(zhì)的研究。目前研究的SnO2都是電子導(dǎo)電(n型)的，還沒有有關(guān)p型導(dǎo)電的SnO2的詳細(xì)報導(dǎo)，因此，我們制備了p型導(dǎo)電SnO2:Mg薄膜，并對其結(jié)構(gòu)和光電性能進(jìn)行了表征。XRD測試表明摻雜不會改變薄膜的晶體結(jié)構(gòu)，摻雜得到的薄膜晶體結(jié)構(gòu)仍然是四方金紅石結(jié)構(gòu)。根據(jù)紫