應(yīng)用于MEMS的模擬CMOS低通濾波器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn).pdf

1、隨著超大規(guī)模集成電路（VLSI）技術(shù)的發(fā)展，人們?cè)絹?lái)越關(guān)注電子系統(tǒng)中大元件的集成化，其中濾波器是非常重要的一個(gè)模塊。在理論分析的基礎(chǔ)上，論文結(jié)合了現(xiàn)在技術(shù)較成熟、功耗較低、集成度較高的CMOS工藝技術(shù)，利用常用的基本開(kāi)關(guān)模塊，用連續(xù)時(shí)間模型等效分析離散域的方法來(lái)分析和實(shí)現(xiàn)了開(kāi)關(guān)電容濾波器。
　　本文首先回顧了集成電路以及MEMS的國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀和理論背景，介紹了本論文的主要工作以及本課題的意義、熱點(diǎn)和難點(diǎn)。
　　在第二章對(duì)各

2、種類型的濾波電路進(jìn)行了介紹并進(jìn)行了時(shí)域、頻域方面的分析；對(duì)它們的優(yōu)缺點(diǎn)以及應(yīng)用的范圍都進(jìn)行了詳細(xì)的闡述，為后面的電路設(shè)計(jì)打下了理論基礎(chǔ)。
　　對(duì)于濾波器中最重要的運(yùn)算放大器模塊的設(shè)計(jì)，本文提出了一種高增益、高擺幅、低功耗的改進(jìn)型AB類運(yùn)算放大器的設(shè)計(jì)。在進(jìn)行電路信號(hào)特性詳細(xì)分析的基礎(chǔ)上，給出了仿真分析結(jié)果。
　　采用美國(guó)JAZZ0.6um Bi-CMOS工藝設(shè)計(jì)了一種應(yīng)用于MEMS傳感器的高線性度、低功耗全差分四階貝塞爾開(kāi)關(guān)

3、電容濾波器。該濾波器的運(yùn)算放大器為輸出AB類運(yùn)算放大器，通過(guò)AB類運(yùn)算放大器以及開(kāi)關(guān)電容共模反饋的設(shè)計(jì)，降低了功耗；在運(yùn)算放大器中設(shè)計(jì)了線性跨導(dǎo)環(huán)，并通過(guò)對(duì)電路的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化，提高了濾波器的線性度。
　　仿真結(jié)果表明，在采樣頻率為1MHZ下，該濾波器的截止頻率為10KHZ。在輸入信號(hào)為1KHZ，擺幅為2V時(shí)，THD為-81.3dB，功耗為5.54mW，達(dá)到了高線性度，低功耗的設(shè)計(jì)要求。
　　最后，論文對(duì)本文所做的工作進(jìn)行