Flash產(chǎn)品Slash Issue的研究.pdf

1、自從上個世紀(jì)八十年代半導(dǎo)體業(yè)界研究開發(fā)出新型的閃速存儲器技術(shù)FlashMemory,作為一種結(jié)構(gòu)簡單性能可靠的不揮發(fā)性(Non-Volatile)存儲,它區(qū)別于常規(guī)的DDR、SDRAM和RDRAM等揮發(fā)性內(nèi)存能夠在斷電情況下長久可靠地保存數(shù)據(jù)信息。Flash依靠其大容量低成本、優(yōu)秀的可靠性和耐用性、高達(dá)10萬次的可擦寫壽命以及易于使用和對各種惡劣環(huán)境的適應(yīng)能力等突出的特點,迅速地得到市場的青睞。被各類便攜型數(shù)字設(shè)備所采用,成為諸多手機(jī)、

2、筆記本電腦等數(shù)碼設(shè)備的存儲介質(zhì)基礎(chǔ)。自然而然Flash產(chǎn)品和Flash技術(shù)成為了半導(dǎo)體集成電路業(yè)界的寵兒,各個集成電路代工工廠和制造廠家都大量的生產(chǎn)制造Flash產(chǎn)品以滿足廣大市場的需求。然而在整個Flash制造工藝的光刻環(huán)節(jié)中始終存在一個揮之不去的難題——SlashIssue,Slashissue會對Flash產(chǎn)品造成相當(dāng)大面積的良率損失,甚至于對工藝中的某些層直接造成報廢。因此對Flash產(chǎn)品中的SlashIssue的分析和研究對于

3、良率的提高和成本的降低有著重大的意義。
　　由于SlashIssue集中出現(xiàn)在光刻工藝環(huán)節(jié),所以本文從Flash的發(fā)展史,工作原理和結(jié)構(gòu)優(yōu)缺點等基本知識做鋪墊,詳細(xì)介紹了與Flash制造密切相關(guān)的光刻工藝環(huán)節(jié)所涉及到的硬件和軟件方面內(nèi)容,包括整個光刻工藝的工作流程,光刻中需要用到的化學(xué)物質(zhì),硬件設(shè)備的結(jié)構(gòu)和工作原理以及軟體方面的顯影工藝制程。然后分別從這些方面分析了各自與Slashdefect形成的關(guān)系。
　　本文選擇以一個

4、實際生產(chǎn)制造中出現(xiàn)的Slashdefect造成整個代工廠Flash產(chǎn)品當(dāng)線停產(chǎn)的case作為實例,通過一系列對比測試和試驗,在排除內(nèi)部和外部環(huán)境、化學(xué)品、硬件設(shè)備方面的可能性之后,將Slashdefect形成的根本原因鎖定在顯影制程上。然后通過增加涂布TARC光阻層以及建立更為優(yōu)化的新顯影程式,最終將Flash產(chǎn)品中的Slashissue完美的解決掉。確保了Flash產(chǎn)品不會因為DRBtestfail而導(dǎo)致報廢,避免了大量產(chǎn)品良率丟失和