通用FLASH的設計與研究.pdf

1、FLASH是目前非易失性存儲器（NVM）中發(fā)展最為成熟的存儲器。而NVM是半導體工業(yè)中成長速度最快的部分之一。FLASH采用類似于EPROM單管疊柵結構的存儲單元，是新一代電信號可擦除的可編程ROM。它既吸收了EPROM結構簡單，編程方便的優(yōu)點，又具有EPROM有隧道效應擦除的快捷特性，集成度可做的很高，因而在便攜式數(shù)據(jù)存儲和各種圖像采集記錄系統(tǒng)中得到了廣泛的應用。 本文就重點對通用Flash設計中的一些問題進行研究，包括架構發(fā)

2、展趨勢，芯片整體框架和模塊劃分，主要功能模塊的設計，并且注重實際芯片的實現(xiàn)。對整個Flash芯片，特別是電壓泵電路等進行重點研究。由于現(xiàn)今存儲器市場的競爭激烈，我們只有保證Flash Memory快速的讀寫速度和低的功耗才能在市場上保有一席之地。因此，這也將是我們整個芯片的設計目標所在。 而在存儲單元中，隨著電源電壓的不斷降低，為了完成編程擦除等操作，設計一個高性能的電壓泵電路變得十分重要。在傳統(tǒng)的電壓泵電路中，電壓泵的輸出電壓

3、由于襯偏效應而產生閾值損失。而四相位電壓泵則可以使電壓無損失的向后傳輸，但是這個電路的速度及驅動能力不太夠。因此，本文將以傳統(tǒng)的四相位電壓泵為原型，設計一款新型的電壓泵電路。對該電路的結構設計和工作原理進行了深入的理論分析及設計仿真分析，結果表明這款電路可以克服以前電壓泵電路的不足，具有更高的性能。此外，本文還設計了一款負高壓電壓泵電路用于擦除操作，對該電路不同于正高壓泵的地方進行了分析仿真，表明在特殊的三阱工藝上可以同時降低襯偏及得到