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文檔簡介
1、根據(jù)NAND flash存儲器的特點(diǎn)與性能,推導(dǎo)出了NAND flash存儲器的糾錯系統(tǒng)參數(shù)設(shè)計(jì)的方法。針對NAND flash存儲器,設(shè)計(jì)了一種模式可配置的糾錯系統(tǒng)的電路結(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)可以預(yù)防錯誤位數(shù)大于設(shè)計(jì)糾錯位數(shù)的情況發(fā)生。在傳統(tǒng)串行BCH編譯碼算法電路設(shè)計(jì)方法的基礎(chǔ)上,導(dǎo)出8位并行的BCH編譯碼算法電路設(shè)計(jì)方法。提出了一種高速并行BCH編譯碼的電路設(shè)計(jì)方法,并導(dǎo)出一種無需有限域求逆運(yùn)算的BM迭代算法的硬件實(shí)現(xiàn)方法。通過對求解有限域
2、方程模塊復(fù)用的方法,同時結(jié)合流水線技術(shù)與乒乓操作技術(shù),巧妙的實(shí)現(xiàn)以較小的硬件邏輯資源開銷獲得糾錯系統(tǒng)性能的提高。完成電路功能設(shè)計(jì)后,使用Modelsim軟件對糾錯系統(tǒng)電路進(jìn)行了詳細(xì)的功能仿真分析。對糾錯系統(tǒng)電路進(jìn)行了功耗估計(jì)分析,并采取了一定的優(yōu)化設(shè)計(jì)方法降低電路的整體功耗。該糾錯系統(tǒng)電路已在Altera公司的EP4CE15E22C8系列FPGA芯片上實(shí)現(xiàn),并進(jìn)行了測試分析,測試結(jié)果表明,在相同的系統(tǒng)工作頻率下,該糾錯系統(tǒng)電路的數(shù)據(jù)吞吐
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