MOV型SPD測(cè)試及老分分析.pdf

1、本文旨在對(duì)MOV(Metal Oxide Varistor)型SPD(Surge Protective Device)合格準(zhǔn)入市場(chǎng)和運(yùn)行中老化兩階段的測(cè)試進(jìn)行改進(jìn),并對(duì)MOV的老化劣化做出分析。綜合現(xiàn)有規(guī)范中對(duì)MOV型SPD測(cè)試的不足,即沒有對(duì)SPD模塊內(nèi)部構(gòu)件進(jìn)行檢測(cè),提出了其檢測(cè)存在盲區(qū)。通過對(duì)SPD生產(chǎn)廠家實(shí)際考察,指出了其生產(chǎn)過程中影響SPD性能的重要因子,如:MOV封裝結(jié)構(gòu)、脫扣焊點(diǎn)做工工藝等,從而提出了打開模塊對(duì)這些工藝進(jìn)行

2、檢測(cè)的方法。將打開模塊測(cè)試與規(guī)范中測(cè)試結(jié)合,能更加科學(xué)合理的對(duì)MOV型SPD做出合格的判斷,為SPD進(jìn)入市場(chǎng)提供進(jìn)一步的保障。
　　 對(duì)于MOV型SPD老化劣化檢測(cè),由于目前檢測(cè)參數(shù)U1mA(壓敏電阻)和Ileskage(漏電流)不能對(duì)MOV老化程度做出及時(shí)有效的判斷。因此,研究一種能夠考量MOV老化程度的方法尤其重要。根據(jù)影響MOV電容的主要因素以及晶界肖恩特基勢(shì)壘變化、離子遷移理論等氧化鋅壓敏電阻的老化機(jī)理,提出了氧化鋅壓敏

3、電阻老化過程中必然伴隨電容量的變化。通過In標(biāo)稱值沖擊、Imax大電流沖擊、熱穩(wěn)定性試驗(yàn)和受潮四種方法對(duì)MOV型SPD進(jìn)行老化劣化試驗(yàn),發(fā)現(xiàn):MOV的電容量均隨老化程度增加而呈現(xiàn)上升趨勢(shì)；在In標(biāo)稱值沖擊下,MOV電容量隨沖擊次數(shù)近似線性上升。通過實(shí)驗(yàn),首次提出了電容量增幅具有考量MOV老化程度的重要意義。結(jié)合U1mA、Ileakage和電容量3個(gè)參數(shù)分析MOV內(nèi)部劣化因?yàn)?認(rèn)為MOV的老化劣化是內(nèi)部晶界特性改變的結(jié)果,其試驗(yàn)后老化劣化