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文檔簡(jiǎn)介
1、納米壓印技術(shù)是20世紀(jì)90年代中期由華裔科學(xué)家周郁教授提出的一種復(fù)制壓印印章表面納米尺度圖案的技術(shù),有著工藝靈活,加工速度快,生產(chǎn)成本低,產(chǎn)量高等優(yōu)點(diǎn),受到了各國(guó)工程師與科學(xué)家的廣泛關(guān)注。且每年都會(huì)有新的技術(shù)進(jìn)展和研究突破,成為學(xué)術(shù)界的研究熱點(diǎn)。
納米壓印技術(shù)可分為熱壓印,紫外壓印,微接觸壓印等,都需要壓印模板,本論文主要工作是基于多孔氧化鋁進(jìn)行納米壓印模板的研究和制備,采用99.99%的純鋁進(jìn)行二次陽(yáng)極氧化,通過(guò)調(diào)節(jié)氧化
2、電壓,反應(yīng)溫度,反應(yīng)時(shí)間實(shí)現(xiàn)了孔徑可控的多孔氧化鋁的模板,孔徑50~80nm,孔距100~135nm,并用此模板進(jìn)行納米壓印,得到結(jié)構(gòu)規(guī)整的納米柱,柱直徑約80nm,柱之間距離130nm,基本符合多孔氧化鋁模板的圖案,在對(duì)于2英寸的多孔氧化鋁模板進(jìn)行納米壓印會(huì)出現(xiàn)部分孔洞圖案無(wú)法進(jìn)行壓印轉(zhuǎn)移的現(xiàn)象,納米柱高度有浮動(dòng),表面平整度不理想,因此提出一種新的納米壓印模板制備方法,在硅片上鍍鋁然后進(jìn)行二次陽(yáng)極氧化,得到孔徑100nm,孔距144n
3、m的多孔結(jié)構(gòu)圖案,由于在硅片上鍍鋁進(jìn)行的二次陽(yáng)極氧化,孔洞的表面平整度得到了很好的解決,通過(guò)對(duì)此模板進(jìn)行納米壓印得到的掃描電鏡圖片進(jìn)行分析,發(fā)現(xiàn)得到的納米柱高低一致,有很好的規(guī)整性和平整度,同時(shí)會(huì)有部分區(qū)域的圖案有脫膠的現(xiàn)象。
實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示,利用多孔氧化鋁模板進(jìn)行納米壓印,圖案可以較為完整的進(jìn)行轉(zhuǎn)移,壓印出來(lái)的納米柱表面平整度好,規(guī)整性基本符合模板的孔洞排列,部分區(qū)域的圖案有脫膠現(xiàn)象,與模板孔洞的垂直型和納米壓印防粘工藝有
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