多孔氧化鋁模板的制備及其在納米材料中的應(yīng)用.pdf

1、本文研究了多孔氧化鋁膜的結(jié)構(gòu)形貌和生長機(jī)理，并且詳細(xì)地論述了氧化鋁模板的制備工藝以及研究制備工藝對模板的影響。此外，本文在電化學(xué)陽極氧化制備多孔氧化鋁有序模板的基礎(chǔ)上，結(jié)合電化學(xué)方法和其它制備工藝手段成功地制備了一系列納米有序陣列。本論文主要有以下幾個(gè)部分組成： 1．多孔氧化鋁模板的合成采用恒溫恒電壓的電化學(xué)陽極氧化技術(shù)成功地合成出孔徑為40～50nm的多孔氧化鋁模板。利用擴(kuò)孔工藝處理可以方便控制孔徑大小。 2．模板法制

2、各Ni納米線陣列以多孔氧化鋁模板為基礎(chǔ)，利用直流、交流電化學(xué)沉積方法合成高度有序的Ni納米線陣列。用SEM、XRD、TEM、MPMS對納米線陣列進(jìn)行了形貌結(jié)構(gòu)和磁性的表征和分析。 3．模板法制備Fe及其硫化物納米線陣列以模板為基礎(chǔ)，利用交流電化學(xué)沉積方法合成出高度有序的Fe納米線陣列，借助SEM、XRD、MPMS對制備Fe納米線陣列進(jìn)行了表征和分析。 利用氧化鋁模板中沉積的金屬Fe納米線陣列，通過硫化工藝處理得到其硫化物

3、納米線陣列。用SEM與XRD表征和分析了硫化后得到的納米線陣列的形貌和晶體結(jié)構(gòu)。 4．模板法制備Cu及其硫化物氧化物納米線陣列利用陽極氧化鋁模板，合成高度有序的Cu納米線陣列。將多孔陽極氧化鋁模板的電化學(xué)沉積技術(shù)與真空硫化技術(shù)相結(jié)合，在制備Cu納米線的基礎(chǔ)之上，制備得到了CuS納米線陣列：利用多孔陽極氧化鋁模板為基底，通過電化學(xué)方法制備出銅的氧化物納米線陣列，將此納米線陣列經(jīng)過高溫?zé)嵫趸幚?，最終得到氧化亞銅納米線陣列。采用SE