多孔氧化鋁模板制備ZnO納米陣列及其光學(xué)性能研究.pdf

1、　　本文以草酸為電解液采用二次陽極氧化法得到了具有孔徑大小相等，孔間平行且垂直于膜面、孔洞是較理想的圓形并在幾個μm范圍內(nèi)構(gòu)成六角排布的理想孔結(jié)構(gòu)的非晶態(tài)多孔型氧化鋁模板。結(jié)合模板用直流電沉積和高溫氧化法制備了ZnO/AAM納米陣列，研究了ZnO納米線的結(jié)構(gòu)形貌以及氧化溫度、納米線形態(tài)對陣列光致發(fā)光性能的影響。研究結(jié)果表明：用該方法制備的ZnO納米線是六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)，并是由若干單晶的納米顆粒或單晶納米區(qū)域組成，生長過程中并沒有明顯的擇優(yōu)

2、取向；隨著氧化溫度升高，Zn向ZnO轉(zhuǎn)化的越完全，而且ZnO晶化得也越好；ZnO/AAM納米線陣列體系的光致發(fā)光在藍(lán)綠波段，波長范圍530-570nm，而且隨著氧化溫度升高束縛激子發(fā)射幾率升高，因而ZnO發(fā)光峰位置隨著氧化溫度的升高而出現(xiàn)藍(lán)移；ZnO納米線的直徑小于70nm時，隨著納米線直徑增大，ZnO的紫外和藍(lán)光熒光發(fā)射均有藍(lán)移現(xiàn)象；當(dāng)直徑增至70nm時，這種變化趨勢不再明顯，而且還出現(xiàn)了較寬的綠光熒光發(fā)射；70nm是ZnO納米線結(jié)構(gòu)