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文檔簡(jiǎn)介
1、隨著電子信息科學(xué)與技術(shù)的發(fā)展,磁性納米線有序陣列在超高密度磁性存儲(chǔ)方面具有誘人的應(yīng)用前景,已經(jīng)成為一維納米結(jié)構(gòu)材料家族中的重要一員。采用AAO模板直流電化學(xué)沉積法可以制備磁性納米線陣列,且這種方法簡(jiǎn)單、經(jīng)濟(jì),具有其他方法無(wú)法比擬的優(yōu)勢(shì)。
本論文選用AAO模板,通過(guò)直流電沉積的方法,在水溶液中分別制備Co納米線陣列和Sm-Co合金納米線陣列,用XRD、FESEM、TEM、VSM設(shè)備對(duì)納米線的結(jié)構(gòu)、形貌、成分、磁性能進(jìn)行詳細(xì)分
2、析。主要工作內(nèi)容及研究結(jié)果如下:
1.采用二次陽(yáng)極氧化法成功制備出AAO 模板,通過(guò)改變退火狀態(tài)、電解液種類、電解液濃度、氧化次數(shù)來(lái)控制AAO 模板的納米孔直徑、孔隙率、孔洞有序性、孔道平直性及模板厚度等參數(shù)。研究發(fā)現(xiàn),制備AAO 模板的最佳工藝條件為:采用純鋁箔在500℃下退火5h 后,在0.3mol/L的草酸電解液中二次陽(yáng)極氧化,氧化電壓為40V,氧化溫度控制在10℃以下。
2.利用AAO 模板成功制備出
3、Co 納米線陣列,研究了電壓、pH 值、溶液濃度和熱處理對(duì)Co 納米線的結(jié)構(gòu)及磁性能的影響。試驗(yàn)表明,制備的Co 納米線陣列均為HCP結(jié)構(gòu),具有擇優(yōu)取向,有很強(qiáng)的織構(gòu)性,且未被氧化。Co 納米線陣列表現(xiàn)出了明顯的形狀各向異性,有效各向異性由形狀各向異性和磁晶各向異性共同決定。在一定范圍內(nèi),改變?cè)囼?yàn)參數(shù)可以使Co 納米線陣列的結(jié)構(gòu)發(fā)生改變,進(jìn)而改變其磁性能。
3.在水溶液中采用直流電沉積法成功制備出Sm-Co 合金納米線陣列
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