基于化合物器件的毫米波倍頻器研究與設計.pdf

1、隨著毫米波技術在雷達、電子對抗等軍事領域以及現(xiàn)代通信、射頻天文學、醫(yī)療等民用方面的興起和應用，對工作頻率高、穩(wěn)定性好以及相位特性好的毫米波源的需求愈加迫切。目前獲得毫米波源的方式有鎖相頻率合成、振蕩器直接合成和由倍頻電路產(chǎn)生。相比前兩種方式，由倍頻電路產(chǎn)生的毫米波源表現(xiàn)出低成本、高穩(wěn)定性和低相位噪聲的特點。因此，倍頻器常常作為模塊電路出現(xiàn)在毫米波收發(fā)機中。伴隨著倍頻器的迅猛發(fā)展，國內(nèi)外對倍頻器的研究也越來越多。本文基于肖特基勢壘二極管和

2、70nm GaAs mHEMT工藝，研究了毫米波段倍頻器的設計技術，最終完成了一款V波段無源倍頻器和一款D波段Monolithic Microwave Integrated Circuit(MMIC)有源二倍頻器的設計。
　　本文首先對近年國內(nèi)外毫米波倍頻器的研究狀況進行了調(diào)研，總結了毫米波倍頻器的發(fā)展和各種常見拓撲結構的優(yōu)缺點；然后介紹了倍頻器的基礎理論，包括倍頻器的基本工作原理，非線性電路的分析方法——諧波平衡法，倍頻器的分類

3、方法以及各類倍頻器的特點；并重點分析了肖特基勢壘二極管和場效應晶體管的非線性效應。
　　在此基礎上，設計了基于肖特基勢壘二極管的 V波段無源二倍頻器和基于70nm GaAs mHEMT工藝的D波段MMIC有源二倍頻器。
　　基于商用肖特基勢壘二極管芯片，本文設計了一種毫米波無源二倍頻器。通過電磁場仿真，對除非線性肖特基結以外的無源結構進行電磁場全波分析，從而對該二極管芯片建立起一個更為準確的3 dimensional(3D)

4、 EM模型?；谠撃Ｐ屯瓿闪艘粋€二極管倍頻器設計。仿真結果表明：當輸入信號功率為15dBm時，在輸出頻率58GHz處，該二倍頻器獲得最小倍頻損耗9.2dB，輸出3dB帶寬為50-75.4GHz，覆蓋了整個V波段；在輸入頻率25-36GHz頻段范圍內(nèi)，基波抑制大于20dB；在25-37.3GHz頻段范圍內(nèi)，輸入反射系數(shù)小于-10dB。但由于芯片焊接、模型精確度、測試系統(tǒng)誤差和加工誤差等原因，相比于仿真結果，測試結果存在不同程度的性能退化。

5、
　　利用70nm GaAs mHEMT工藝，本文另外設計了一種輸出頻率為128-145GHz的毫米波二倍頻器，并對整體電路進行了全波仿真。其設計流程包括：管芯尺寸選取、直流偏置電壓選取、直流偏置網(wǎng)絡設計、電路穩(wěn)定性檢驗、基波抑制結構設計、阻抗匹配網(wǎng)絡設計和二倍頻器整體設計與優(yōu)化。仿真結果表明：輸入信號功率固定為4dBm進行頻率掃描，當輸入頻率為68.5GHz時，該二倍頻器達到最大輸出功率-2.56dBm，輸出3dB帶寬為64~7

6、2.5GHz，且在整個V波段范圍內(nèi)基波抑制都大于20dB；輸入信號頻率固定為69GHz進行功率掃描，當輸入功率為4dBm時，該二倍頻器達到最大倍頻增益-6.57dB；當輸入功率為5dBm時，二倍頻器達到最大輸出功率-2.29dBm；在輸入頻率66.5-71.5GHz頻段范圍內(nèi)，輸入反射系數(shù)小于-10dB，在輸出頻率134-142.5GHz頻段范圍內(nèi)，輸出反射系數(shù)小于-10dB。整個芯片的面積（包含pad）為0.83×0.39mm2。最后