(Mg,Co)共摻雜ZnO薄膜的形貌調(diào)控及性能研究.pdf

1、ZnO是一個有著極大潛力的半導(dǎo)體材料，有許多實際方面的應(yīng)用，如壓電式轉(zhuǎn)換器、表面聲波器件、光波導(dǎo)管、變阻器、透明導(dǎo)電氧化物、自旋功能器件和紫外光發(fā)射器等。室溫下的禁帶寬度(3.37eV)使其成為一種在紫外或藍(lán)光譜范圍的光激發(fā)性應(yīng)用的候選材料，同時高的激子束縛能(60meV)允許其在室溫下有著高的激子發(fā)射。最近研究發(fā)現(xiàn)，ZnO通過摻雜可以獲得一系列的性質(zhì)，包括從金屬到絕緣(n型-p型電導(dǎo))，高透光性，寬帶隙半導(dǎo)體、室溫鐵磁性等。例如通過M

2、g或Cd的摻雜調(diào)節(jié)帶隙，過渡金屬(Fe、Co、Ni等)摻雜獲得室溫鐵磁性，摻雜ⅢA族元素獲得n型導(dǎo)電體，摻雜IA和VA族元素獲得P型導(dǎo)電體。
　　 本文用水熱法在ZnO種子層上制備了系列(Mg，Co)共摻雜和單一摻雜的ZnO薄膜樣品，并對其形貌結(jié)構(gòu)以及光學(xué)和磁學(xué)性質(zhì)進行了研究。主要研究內(nèi)容和成果概括如下：
　　 1、利用水熱法制備了Co和Mg共摻的Zn0.95-xCo0.05MgxO(x=0.05-0.35)薄膜，獲得了

3、單晶納米陣列的薄膜，研究了Mg摻雜對氧化鋅納米棒結(jié)構(gòu)形貌及光學(xué)和磁學(xué)性質(zhì)上的影響。SEM和XRD分析表明，高濃度的Mg摻雜有助于ZnO納米棒的成核和生長，導(dǎo)致薄膜形貌的改變。從反射譜和透射譜測量中看到，改變Mg摻雜含量可以調(diào)節(jié)薄膜的帶隙，而且PL譜僅僅出現(xiàn)了一個寬的可見光發(fā)射帶。磁性測量表明所有樣品都具有室溫鐵磁性。
　　 2、系統(tǒng)地研究了反應(yīng)溶液中檸檬酸鈉的加入量對Zn0.85Co0.05Mg0.10O薄膜結(jié)構(gòu)、形貌、光學(xué)和磁

4、性的影響。SEM圖分析表明，檸檬酸鈉可以對薄膜的形貌進行調(diào)制，從傾斜的納米棒到直立的納米棒再到水平納米片、直立納米片晶。XRD顯示了反應(yīng)溶液中改變檸檬酸鈉的量可以調(diào)節(jié)薄膜的擇優(yōu)生長方向，實現(xiàn)從[001]方向經(jīng)[101]方向到[100]方向的演變。從薄膜的透射譜中觀測到隨著反應(yīng)溶液中檸檬酸鈉的加入量的增加，薄膜的帶隙有增大的趨勢，說明檸檬酸鈉可以促使摻雜劑進入ZnO晶格。最后，振動樣品磁強計(VSM)測量顯示了所有樣品都具有室溫鐵磁性。<

5、br>　　 3、比較分析了(Co，Mg)共摻和Co(或Mg)單一摻雜ZnO納米晶薄膜的結(jié)構(gòu)、光性及磁性質(zhì)，研究了不同摻雜劑對ZnO薄膜結(jié)構(gòu)和光學(xué)及磁性質(zhì)的的影響。XRD分析表明摻雜元素影響著檸檬酸鈉對ZnO薄膜生長方向的調(diào)控作用，Mg元素的摻入阻礙了ZnO晶粒的沿[100]方向的擇優(yōu)生長以及Co的摻入更加有利于ZnO薄膜沿[100]方向的擇優(yōu)生長，然而(Mg，Co)共摻比Co或Mg單一摻雜更加有助于ZnO薄膜沿[100]方向擇優(yōu)生長。