一種基于缺陷態(tài)吸收的光功率監(jiān)測(cè)器研究.pdf

1、硅基光電子技術(shù)是當(dāng)今信息技術(shù)中的熱門技術(shù)。隨著光電集成度的增加，必然要求對(duì)片上信號(hào)進(jìn)行實(shí)時(shí)的監(jiān)控。光功率監(jiān)測(cè)器則充當(dāng)起了這樣的角色:可以對(duì)器件的工作狀態(tài)的監(jiān)測(cè)、反饋控制、錯(cuò)誤診斷等。其中一種典型應(yīng)用就是由于微環(huán)調(diào)制器的溫度敏感性，工作狀態(tài)不穩(wěn)定，需要對(duì)其工作波長(zhǎng)進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)，所以提出了光功率監(jiān)測(cè)器集成在同一微環(huán)上的解決方案。
　　然而，由于硅的帶隙能量在通信波段呈現(xiàn)透明，也就限制了在此波段的光功率的直接吸收和探測(cè)過程。首先，本論文

2、針對(duì)硅材料在探測(cè)遇到的問題，對(duì)不同吸收機(jī)制的光功率監(jiān)測(cè)器和光電探測(cè)器的基本原理進(jìn)行介紹，并且將重點(diǎn)討論通過離子注入引入缺陷態(tài)吸收機(jī)制的光功率監(jiān)測(cè)器。其次，詳細(xì)地介紹了完整的缺陷態(tài)功率監(jiān)測(cè)器的工藝仿真模擬流程，分析其電學(xué)特性;由于耗盡區(qū)內(nèi)的缺陷態(tài)分布對(duì)光電流具有很大的貢獻(xiàn)，繪制二維載流子濃度、缺陷態(tài)濃度、電場(chǎng)分布進(jìn)行光功率監(jiān)測(cè)器的性能分析;進(jìn)行參數(shù)優(yōu)化，改變注入窗口的交疊長(zhǎng)度或者注入離子的濃度而改變耗盡區(qū)內(nèi)缺陷態(tài)的濃度分布，分析影響光響應(yīng)