InN的制備及其性質(zhì)研究.pdf_第1頁
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1、分類號：f誓午密級：單位代碼：10422學(xué)號：ⅥQfl珂Z⑧∥簍辦g碩士又論文題目：矗∥謝椎破，I魚反締完‰儼M刨叭帆文從僅，ac惦“掀Kb八々￡tk厶∥$f彬作者姓名望璺盍學(xué)院名稱物堡妻堅(jiān)疊專業(yè)學(xué)位名稱叁盤壘齜指導(dǎo)教師近塑壘斟蜇籃合作導(dǎo)師卻l乙年葉月切目目錄摘要。薹ABSTRACTIIl主要符號表V第一章引言一111ⅡI。V族氮化物薄膜概述l12InN薄膜的研究進(jìn)展2董3InN薄膜的性質(zhì)313。l結(jié)構(gòu)性質(zhì)3132光學(xué)性質(zhì)、電學(xué)性質(zhì)51

2、4研究背景和主要內(nèi)容一7第二章InN薄膜的制備方法及表征方法821InN薄膜的制備方法8211濺射鍍膜法8212脈沖激光沉積一9213分子束外延9214氫化物氣相外延1022InN薄膜性質(zhì)的表征方法10221晶體結(jié)構(gòu)分析1l222薄膜表面形貌分析12223薄膜光學(xué)、電學(xué)性質(zhì)的測試分析14第三章MOCVD技術(shù)的概述及制備InN過程1931MOCVD技術(shù)原理。l932MOCVD系統(tǒng)2033MOCVD系統(tǒng)的特點(diǎn)2234薄膜的制備。23341實(shí)

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