高密度芯片封裝基板結(jié)構(gòu)與設(shè)計.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、高密度芯片封裝基板優(yōu)化設(shè)計是現(xiàn)代集成電路工藝發(fā)展的主要方向之一。布線密度加大、板層數(shù)加多、高頻特性帶來的信號完整性問題以及高功耗帶來的電源完整性問題是高密度芯片封裝基板設(shè)計要考慮的主要因素。因此,基本設(shè)計的好壞直接決定產(chǎn)品設(shè)計的質(zhì)量,基板一次成功設(shè)計可以大大縮減產(chǎn)品的設(shè)計周期。
   論文對高密度封裝基板的設(shè)計問題進(jìn)行了研究,主要內(nèi)容包括:(1)深入了解了高密度封裝基板的結(jié)構(gòu)、設(shè)計技巧及生產(chǎn)工藝。(2)分析了高速電路的傳輸線理論

2、,并以此為基礎(chǔ)討論了反射、串?dāng)_現(xiàn)象的起因;分析了電源完整性,并以此為基礎(chǔ)討論了目標(biāo)阻抗及同步開關(guān)噪聲;分析了工程上常用的解決辦法及其適用范圍,為高密度封裝基板設(shè)計提供理論依據(jù)。(3)基于Cadence公司的APD設(shè)計軟件,根據(jù)設(shè)計參數(shù),對基板的信號分配進(jìn)行最佳規(guī)劃,對信號進(jìn)行分割處理,利用Valor軟件進(jìn)行DFM分析,確?;逶谏a(chǎn)及裝配中無設(shè)計問題,保證生產(chǎn)的可靠性。(4)根據(jù)設(shè)計要求,查詢PCIE3.0,GDDR5總線參數(shù),運用Ca

3、dence及Ansoft軟件進(jìn)行電源完整性分析及信號完整性分析,并驗證了基板上最小的線間距Memory走線串?dāng)_,滿足設(shè)計要求。設(shè)計中的創(chuàng)新點為:1.在設(shè)計流程的優(yōu)化方面,創(chuàng)新利用Viapattern模式進(jìn)行設(shè)計,模塊化設(shè)計能縮短設(shè)計時間,同時提高設(shè)計的規(guī)范度。2.在解決電源完整性方面,提出了立體嵌入式電容解決方案,解決了大電流的芯片目標(biāo)阻抗設(shè)計難題。3.在解決信號完整性方面,發(fā)現(xiàn)并仿真驗證通過VoidPCIE的Ballpad鄰近的參考層

4、的做法,能有效減少信號線的電容寄生參數(shù),改善信號質(zhì)量。
   論文以顯卡設(shè)計為例,在設(shè)計中總結(jié)出科學(xué)的設(shè)計流程,設(shè)計技巧,對其他高密度封裝基板設(shè)計有借鑒意義。同時為了進(jìn)一步驗證所提出來的電源和信號完整性的解決方案的有效果性,通過仿真對設(shè)計進(jìn)行對比驗證,仿真結(jié)果顯示添加立體式嵌入式電容解能夠降低87MHZ到1GHZ之間的電源阻抗,使基板的電源目標(biāo)阻抗達(dá)到了1.165mohm,最終滿足芯片規(guī)范;VoidPCIE的Ballpad鄰近的

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