2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
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文檔簡介

1、隨著集成電路的小型化和集成化,封裝和互連技術(shù)逐漸成為延續(xù)和超越“摩爾定律”的關(guān)鍵。多層高密度封裝基板已成為當(dāng)前集成電路封裝中采用的主要形式,也是“3D”封裝開疆?dāng)U土的支撐性技術(shù)之一。
  高密度基板雖然層數(shù)和布線圖形各不相同,但濺射鈦/銅薄層結(jié)構(gòu)作為一種新興的電鍍“籽晶層”,在先進(jìn)封裝結(jié)構(gòu)里非常常見。這一薄層的厚度在亞微米/納米量級,其晶粒尺寸則更為微小。本文首先對比研究了四種可行的亞微米晶粒測量方法,從制樣、原理、實(shí)踐等角度研究

2、了其適應(yīng)性及可靠性。
  由于環(huán)保的需求,無鉛焊接技術(shù)成為裝聯(lián)焊接技術(shù)的主流。由于其焊接溫度遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)工藝,這極有可能對濺射薄層微結(jié)構(gòu)造成不可測的影響,進(jìn)而影響整個封裝體的可靠性。本文利用XRD(X射線衍射)、四探針、AFM(原子力顯微鏡)等方法研究了無鉛回流焊工藝對濺射銅層微結(jié)構(gòu)及導(dǎo)電性的影響,并對其內(nèi)在機(jī)理進(jìn)行了探討。本文進(jìn)一步利用XRD和TEM(透射電鏡)研究了濺射鈦層的微結(jié)構(gòu)和界面性能,證實(shí)鈦層為非晶態(tài)。然后設(shè)計了一種新穎

3、的電化學(xué)方法制備了用于XRD測試的潔凈納米鈦膜樣品,進(jìn)而研究了無鉛回流焊工藝對濺射納米鈦層的影響。本文在研究中亦發(fā)現(xiàn)鈦層表面濺射一極薄銅層會誘導(dǎo)其結(jié)晶,并且呈現(xiàn)一定的規(guī)律性。
  實(shí)踐中發(fā)現(xiàn),高密度基板中金屬薄層界面結(jié)構(gòu)缺陷是失效發(fā)生的重要原因。本文用雙束FIB(聚焦離子束)技術(shù)對比分析了正常和異?;逯械臑R射鈦/銅界面結(jié)構(gòu)。進(jìn)而針對FIB自帶SEM分辨率不足的問題,采用一種比較巧妙的方法將樣品傾斜安置在獨(dú)體SEM上觀察,進(jìn)而揭示

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