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文檔簡(jiǎn)介
1、氮化鎵基器件由于出色的性能,被學(xué)術(shù)界和工業(yè)界廣泛的研究。增強(qiáng)型氮化鎵器件在開關(guān)和數(shù)字電路領(lǐng)域也因具有較大的應(yīng)用前景而被大量研究。背勢(shì)壘結(jié)構(gòu)能夠提高二維電子氣的限域性,氟處理是一種常用的實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)型技術(shù),然而國(guó)內(nèi)外很少學(xué)者研究氟處理背勢(shì)壘結(jié)構(gòu)器件,因此氟處理和背勢(shì)壘相結(jié)合實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)型器件具有非常好的研究?jī)r(jià)值。本文從理論模擬和實(shí)驗(yàn)制作上研究了低損傷的增強(qiáng)型雙異質(zhì)結(jié)器件,研究?jī)?nèi)容包括以下幾個(gè)方面:
?。?)通過模擬仿真,得到了結(jié)合氟注入的
2、三種不同GaN溝道厚度雙異質(zhì)結(jié)器件(15nm,30nm,60nm),其閾值電壓均大于0V。本文首先模擬仿真了常規(guī)單異質(zhì)結(jié)器件和雙異質(zhì)結(jié)器件特性,發(fā)現(xiàn)雙異質(zhì)結(jié)器件具有較小的二維電子氣濃度。仿真不同GaN溝道層厚度的雙異質(zhì)結(jié)器件,發(fā)現(xiàn)閾值電壓隨著溝道層的厚度的增加而越來越負(fù),跨導(dǎo)隨著溝道層的厚度的增加而越來越大。仿真了常規(guī)氟功率和較低氟功率分別處理單異質(zhì)結(jié)和雙異質(zhì)結(jié)器件,采用較低氟處理功率對(duì)三種不同GaN溝道厚度的雙異質(zhì)結(jié)器件進(jìn)行處理,均得
3、到了閾值電壓大于0V的效果。
(2)通過實(shí)驗(yàn),成功制作了三種不同GaN溝道的增強(qiáng)型雙異質(zhì)結(jié)器件(14nm,28nm,60nm),且退火后保持較大的閾值電壓。我們使用135W氟處理功率對(duì)三種不同GaN溝道的增強(qiáng)型雙異質(zhì)結(jié)器件(14nm,28nm,60nm)進(jìn)行處理,退火前它們的閾值電壓能達(dá)到1.1V、0.8V和0.3V,它們的峰值跨導(dǎo)分別達(dá)到110mS/mm、146mS/mm、198mS/mm。為了進(jìn)一步提高器件的性能,我們對(duì)其
4、進(jìn)行退火處理。由于135W氟處理功率對(duì)器件的損傷較小,退火之后兩種不同GaN溝道的增強(qiáng)型雙異質(zhì)結(jié)器件(14nm、28nm)的閾值電壓分別達(dá)到0.7V、0.4V,它們的峰值跨導(dǎo)分別達(dá)到161mS/mm、198mS/mm。在肖特基特性方面,我們發(fā)現(xiàn),在隧穿機(jī)制的影響下,柵反向電流隨著GaN溝道層厚度增加而增加。
?。?)通過實(shí)驗(yàn),分析了雙異質(zhì)結(jié)器件的變溫特性。我們對(duì)器件進(jìn)行從20度到270度的在片變溫測(cè)試。在直流特性方面,當(dāng)溫度從2
5、0度上升到70度時(shí),器件的直流特性性能非常穩(wěn)定,當(dāng)溫度繼續(xù)升高時(shí),由于氟離子的移動(dòng),閾值電壓逐漸負(fù)向移動(dòng);在肖特基特性方面,在不同的溫度區(qū)間由不同的電流輸運(yùn)機(jī)制控制。對(duì)于反向肖特基電流,在隧穿機(jī)制和碰撞機(jī)制的共同作用下,肖特基反向電流先增大后減小。對(duì)于正向肖特基電流,在隧穿機(jī)制和熱電子發(fā)射機(jī)制共同作用下,肖特基正向電流亦是先增大后減小;在DIBL特性方面,常溫下14nm GaN溝道雙異質(zhì)結(jié)器件具有非常好的限域性,其DIBL特性值僅為16
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