薄勢(shì)壘增強(qiáng)型器件的制備與特性分析.pdf

1、盡管AlGaN/GaN HEMT器件在微波大功率特性方面取得很大的進(jìn)步，因?yàn)槿鄙賞型溝道的AlGaN/GaN HEMTs，類似CMOS的電路組成不能實(shí)現(xiàn)。通常AlGaN/GaNHEMTs的閾值電壓依賴于外延層的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，如Al組分大小，Si摻雜的濃度，AlGaN勢(shì)壘層的厚度等。在器件制備過程中調(diào)制閾值電壓的方法給增強(qiáng)型器件制備和電路應(yīng)用帶來極大的方便。因此本文提出以薄勢(shì)壘結(jié)構(gòu)的材料制備增強(qiáng)型器件，并結(jié)合F等離子體處理的方法，并取得了較為

2、理想的結(jié)果。
　　 首先對(duì)不同勢(shì)壘厚度的器件結(jié)合材料特性進(jìn)行對(duì)比分析。發(fā)現(xiàn)雖然薄勢(shì)壘材料的2DEG的濃度較低，但具有較高的遷移率，因此薄勢(shì)壘結(jié)構(gòu)器件具有較好的直流特性，尤其是跨導(dǎo)較大。為制備增強(qiáng)型器件提供了較好的材料基礎(chǔ)。
　　 其次本文完成了薄勢(shì)壘F注入增強(qiáng)型HEMT的制備，并對(duì)增強(qiáng)型和耗盡型器件特性做了對(duì)比分析。未作F等離子體處理的器件閾值電壓為-1.7V，等離子體處理后器件閾值電壓為1.3V，實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)型。發(fā)現(xiàn)與耗盡