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1、鉍基焦綠石Bi2O3-ZnO-Nb2O5系介質(zhì)材料具有介電常數(shù)高、損耗低、介電常數(shù)溫度系數(shù)可調(diào)及燒結(jié)溫度低的特點(diǎn),成為發(fā)展低溫共燒陶瓷技術(shù)的優(yōu)良材料體系,降低了多層器件的成本。本文對(duì)Bi2O3-ZnO-Nb2O5系介質(zhì)陶瓷的結(jié)構(gòu)與性能進(jìn)行了系統(tǒng)地研究,建立了材料組分、化學(xué)鍵性質(zhì)、晶體結(jié)構(gòu)與介電性能之間的聯(lián)系,制備出了滿足美國(guó)EIA(Electronic Industries Association)標(biāo)準(zhǔn)的NP0特性要求(在溫度從-55℃
2、到+125℃的范圍之內(nèi),電容量溫度系數(shù)≤±30 ppm/℃)的低溫共燒陶瓷材料,具體研究?jī)?nèi)容如下:
(1)采用傳統(tǒng)固相工藝制備(Bi1.5Zn0.5-xMgx)(Zn0.5Nb1.5)O7(x=0.0,0.1,0.2,0.3,0.4)與(Bi1.8Zn0.2)(Zn0.5Nb1.5-xSnx)O7.15-x/2(x=0.0,0.05,0.1,0.2)介質(zhì)陶瓷材料。采用Mg2+、Sn4+分別取代立方焦綠石相BZN中A位的Zn2+
3、與B位的Nb5+,探討 A/B位離子取代對(duì)體系的晶體結(jié)構(gòu)、微觀形貌、化學(xué)鍵性質(zhì)、介電性能的影響。1000℃下燒結(jié),(Bi1.8Zn0.2)(Zn0.5Nb1.4Sn0.1)O7.1陶瓷樣品的εr=170,Tc=0.3747 ppm/℃,符合美國(guó)EIA標(biāo)準(zhǔn)的NP0溫度特性要求。
(2)采用傳統(tǒng)固相工藝制備了Bi2(Zn1-xMgx)2/3Nb4/3O7(0.0≤x≤1.0)介質(zhì)陶瓷材料。采用二價(jià)Mg2+取代Bi2Zn2/3Nb4
4、/3O7中B位的Zn2+,系統(tǒng)地研究體系組分、相穩(wěn)定性、晶體結(jié)構(gòu)、介電性能之間的關(guān)系。隨著Mg2+含量的增加,體系發(fā)生從單斜相到立方焦綠石相的相轉(zhuǎn)變過(guò)程。900℃下燒結(jié),Bi2(Zn0.5Mg0.5)2/3Nb4/3O7陶瓷樣品的εr=98,tanδ=3.4×10-4,Tc=0.65 ppm/℃,符合美國(guó)EIA標(biāo)準(zhǔn)的NP0溫度特性要求,可用于LTCC的制備。
(3)將具有相反溫度系數(shù)的單斜相 Bi2Zn2/3Nb4/3O7(β
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