用H2S氣體作為硫源快速制備PbS量子點.pdf

1、近年來,隨著器件物理和微細加工技術(shù)的迅速發(fā)展,半導(dǎo)體量子點由于量子尺寸效應(yīng)和表面效應(yīng)成為了人們研究的熱點。但是研究中的一大障礙是很難制備出高質(zhì)量的半導(dǎo)體量子點。到目前為止,研究較多的是Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族的量子點。而Ⅳ-Ⅵ族半導(dǎo)體材料的直接帶隙只有0.2eV,比Ⅱ-Ⅵ族材料更小,可以實現(xiàn)整個中紅外和遠紅外波段范圍的覆蓋,并且具有高度對稱的能帶結(jié)構(gòu)及重空穴缺失等特點,引起了人們極大的關(guān)注。
　　本文首先介紹了量子點的概況以及一些特別的

2、特性。敘述了包括量子尺寸效應(yīng)和表面效應(yīng)在內(nèi)的量子點的基本特性。然后介紹了量子點的研究歷史以及應(yīng)用方向,接著具體闡述Ⅳ-Ⅵ族量子點的特性和優(yōu)點。
　　第二部分敘述了目前制備半導(dǎo)體量子點的基本方法及其特點。
　　第三部分介紹了本文研究的制備PbS量子點的具體方法。通過將由FeS和HCl反應(yīng)得到的H2S氣體注入含有Pb(Ac)2,油酸,十八烯和十二胺的混合溶液與之反應(yīng)得到PbS量子點。根據(jù)得到的不同量子點繼續(xù)設(shè)計了一系列的實驗以探