InGaZnO透明導電薄膜的PLD制備及其性能表征.pdf

1、各類光電器件的關鍵技術指標在近10余年內(nèi)得到了快速提升,相關的技術進步過程伴隨著固體物理、材料科學、光電子技術以及制造技術等眾多研究領域全面高速發(fā)展。透明導電薄膜作為核心材料之一,其透光及方阻特性等關鍵參數(shù)的不斷完善一直是此領域所關注的熱點問題。
　　本文利用脈沖激光沉積法制備InGaZnO薄膜,通過對薄膜的成分、微觀組織結構分析,結合相關物理性能測試,研究和分析了此體系組分以及生長條件對其各項性能尤其是紅外光學性能的影響規(guī)律,旨

2、在對進一步理解該體系出現(xiàn)的非晶/晶態(tài)呈現(xiàn)透光率及電導率變化規(guī)律的認識。
　　制備了不同生長溫度低濃度摻雜的InGaZnO薄膜。實驗研究了薄膜電阻率和薄膜透光過率隨溫度升高和In摻雜量改變的變化規(guī)律,分析了對InGaZnO薄膜的紅外透明導電性能的影響因素,包括薄膜結晶程度、微觀表面形貌和薄膜厚度等。測試結果表明,ZnO中摻雜少量InR2ROR3R和GaR2ROR3R制備得到的InGaZnO薄膜為多晶結構;室溫下生長的薄膜電阻率最低,

3、在～10-2Ω·cm到～10-3Ω·cm范圍內(nèi);In摻雜量為3wt.％的薄膜中紅外波段透過率最大,可達到80%左右,其余組分薄膜透過率在20%～70%的范圍內(nèi)。
　　制備了不同生長溫度高濃度混合的InGaZnO薄膜。對薄膜電阻率和薄膜透光過率隨溫度升高和Ga摻雜量改變的變化規(guī)律進行了實驗研究,分析了薄膜成分、結晶程度、微觀表面形貌和薄膜厚度對InGaZnO薄膜的紅外透明導電性能的影響。測試結果表明,ZnO混合大量InR2ROR3R