應(yīng)用于TSV互連的電鍍填充工藝研究.pdf

1、為了降低特征尺寸、解決互連延遲等問題，三維集成技術(shù)開始成為封裝領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)，其中TSV技術(shù)是其中的主流，也被譽(yù)為第四代封裝技術(shù)。在TSV技術(shù)中，硅孔的填充質(zhì)量將直接影響到三維封裝芯片的性能。本文從TSV電鍍技術(shù)入手，闡述了電鍍工藝以及電鍍生長(zhǎng)機(jī)理，探究了不同的工藝參數(shù)以及鍍液工況對(duì)盲孔保形電鍍的影響，并提出了一種新型的自底向上電鍍工藝，實(shí)現(xiàn)了硅盲孔中自底向上生長(zhǎng)和無(wú)孔隙填充。本文主要研究?jī)?nèi)容如下：
　?。?）分析了盲孔保形電鍍技

2、術(shù)，并對(duì)比了三種潤(rùn)濕方式對(duì)電鍍質(zhì)量的影響，同時(shí)研究了電鍍液工況對(duì)電鍍質(zhì)量的影響。進(jìn)而掌握缺陷產(chǎn)生的機(jī)理，優(yōu)化電鍍工藝參數(shù)、改進(jìn)盲孔保形電鍍效果。
　?。?）研究了盲孔保形電鍍?cè)诓煌瑫r(shí)段下盲孔內(nèi)部的填充效果，從而確定其生長(zhǎng)機(jī)理。同時(shí)，對(duì)比了不同電流密度時(shí)，盲孔電鍍效果的差異性。電流密度的增加，可以加快金屬沉積速率、降低電鍍工藝時(shí)間，但也容易產(chǎn)生缺陷、加厚表面過(guò)鍍層。
　　（3）提出了以阻擋層金屬作為導(dǎo)電介質(zhì)來(lái)進(jìn)行電鍍實(shí)驗(yàn)的工藝