氧化鋅鋁(AZO)粉體與陶資靶材的制備.pdf

1、隨著半導體、計算機和太陽能等領域的迅速發(fā)展，ZnO材料廣泛應用于高清平板顯示器、透明電極、太陽能電池板和各種光電子設備。
　　本文以制備Al摻雜ZnO(AZO)粉體和陶瓷靶材為目的，論述了ZnO的摻雜理論、典型性能、靶材的制備技術及高分子網(wǎng)絡凝膠技術的發(fā)展現(xiàn)狀;研究了聚丙烯酰胺高分子凝膠法制備AZO粉體的基本工藝與方法;分析了Al摻雜濃度，前驅(qū)體煅燒工藝對粉體光學性能的影響;研究了二步燒結法制備AZO陶瓷靶材的燒結工藝;分析了Al

2、摻雜濃度、燒結溫度T1、升溫速度v1、保溫溫度T2對AZO陶瓷靶材的顯微結構、相對密度和導電性能的影響。研究結果表明:
　　(1)隨著Al摻雜濃度的增加，AZO粉體晶粒尺寸逐漸減小;在600℃的煅燒溫度下，Al的摻雜濃度可高達8％，當煅燒溫度升高至750℃，AZO粉體(x(Al)=5.5％)出現(xiàn)少量耐腐蝕的第二相ZnAl2O4。
　　(2) AZO粉體的紫外吸收隨Al摻雜濃度的增加先藍移后紅移，而隨煅燒溫度的提高發(fā)生紅移;當

3、Al摻雜濃度為5.5％（摩爾濃度）時，在550℃煅燒下1h，AZO納米粉體具有最大的光學禁帶能，為3.39eV(366nm);粉體還表現(xiàn)出近邊紫外發(fā)射(406nm)和藍光發(fā)射(430nm)性能。
　　(3) Al摻雜后ZnO的結構為纖鋅礦結構;其晶格常數(shù)a和c隨Al摻雜濃度的增加呈現(xiàn)先減小后增大的趨勢。當摻雜濃度過大時，XRD衍射譜中出現(xiàn)鋅鋁尖晶石相(ZnAl2O4)的衍射峰。
　　(4)隨著Al摻雜濃度的提高，AZO靶材的