超高頻射頻電子標(biāo)簽芯片中低功耗電路研究.pdf

1、本文系統(tǒng)的論述了超高頻射頻識(shí)別系統(tǒng)的物理基礎(chǔ)及其工作鏈路，對超高頻射頻識(shí)別標(biāo)簽的關(guān)鍵指標(biāo)進(jìn)行了分析，并對低成本低功耗的標(biāo)簽芯片實(shí)現(xiàn)中的關(guān)鍵技術(shù)與設(shè)計(jì)難點(diǎn)進(jìn)行了研究?！　”疚膶?biāo)簽芯片的射頻前端中的N級倍壓整流電路進(jìn)行了研究、分析并建立了理論模型，為設(shè)計(jì)初期的芯片系統(tǒng)重要參量如射頻整流效率、輸入阻抗及芯片工作頻寬等的優(yōu)化及確定提供理論依據(jù)與參考。　　本文為降低標(biāo)簽芯片成本及提高標(biāo)簽芯片性能，研究了標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝兼容的肖特基二極管設(shè)計(jì)

2、，并加以流片實(shí)現(xiàn)，根據(jù)測試結(jié)果建立了其可用于電路仿真的高頻模型?！　”疚尼槍τ跓o源標(biāo)簽低功耗特點(diǎn)，研究了標(biāo)簽芯片模擬前端中能隙基準(zhǔn)源電路、檢波電路的低電壓低功耗電路設(shè)計(jì)方法及相關(guān)電源噪聲傳遞，流片實(shí)現(xiàn)，對測試結(jié)果進(jìn)行了分析。并提出了適用于標(biāo)簽芯片中應(yīng)用的新的亞閾值電壓基準(zhǔn)及開關(guān)電容電壓基準(zhǔn)低功耗電路結(jié)構(gòu)?！　”疚奶岢隽松漕l端雙通道輸入及標(biāo)簽芯片內(nèi)部時(shí)鐘頻率n位可調(diào)振蕩器的優(yōu)化的標(biāo)簽芯片系統(tǒng)架構(gòu)。根據(jù)EPCC1G2超高頻射頻識(shí)別標(biāo)簽標(biāo)