超低功耗射頻電子標(biāo)簽?zāi)M前端的研究.pdf

1、本論文論述了射頻電子標(biāo)簽的工作原理和物理背景，并在此基礎(chǔ)上分析并實(shí)現(xiàn)了高頻射頻電子標(biāo)簽?zāi)M前端電路以及超高頻射頻電子標(biāo)簽時(shí)鐘數(shù)據(jù)恢復(fù)電路。 首先，提出了影響高頻射頻電子標(biāo)簽性能的主要因素：能量傳輸效率和低功耗的架構(gòu)和電路。針對(duì)前者，論文分析了射頻電子標(biāo)簽?zāi)芰總鬏數(shù)倪^程，即影響能量傳輸效率的因素：天線以及諧振電容和標(biāo)簽后級(jí)電路的阻抗匹配，和整流電路的能量轉(zhuǎn)換效率。針對(duì)后者，論文提出了一種全新的射頻電子標(biāo)簽架構(gòu)，與傳統(tǒng)架構(gòu)相比具有低

2、功耗、高性能的特點(diǎn)。在具體電路中，提出了一種高能量轉(zhuǎn)換效率的整流電路，和低功耗低電壓、在噪聲和電壓波動(dòng)下正常工作的其他子模塊。此射頻電子標(biāo)簽與標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝兼容，并通過流片(采用Chartered0．35um標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝)和實(shí)測(cè)驗(yàn)證。 接著，提出了一種適用于超高頻射頻電子標(biāo)簽的時(shí)鐘數(shù)據(jù)恢復(fù)電路，在電路中提出了一種適用于NRZ數(shù)據(jù)的新型鑒頻鑒相器電路，和自適應(yīng)控制單元，能動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)邊沿檢測(cè)器中延遲單元的延遲時(shí)間，使此時(shí)鐘數(shù)據(jù)恢