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文檔簡介
1、應(yīng)變硅技術(shù)由于其對載流子遷移率的提高作用,彌補(bǔ)了等比例縮小技術(shù)的極限問題,在業(yè)界得到了重視,并作為一項(xiàng)新技術(shù)應(yīng)用于超深亞微米工藝中。應(yīng)變硅技術(shù)的一個(gè)特點(diǎn)是張應(yīng)力對NMOS晶體管性能的提高有利,而壓應(yīng)力對PMOS晶體管有利,因此本文旨在研究局部應(yīng)變的引入。論文主要研究通過傳統(tǒng)硅工藝在材料溝道中引入壓應(yīng)力和張應(yīng)力,以便在不增加成本的前提下,達(dá)到提高器件性能的目的。
本文首先對Si材料價(jià)帶和導(dǎo)帶的能帶結(jié)構(gòu)與應(yīng)力的關(guān)系進(jìn)行了理論上的分
2、析說明,并根據(jù)應(yīng)力對能帶結(jié)構(gòu)的影響討論了應(yīng)變導(dǎo)致遷移率提高的原因。論文采用了STI工藝誘生應(yīng)變和氮化硅蓋帽工藝誘生應(yīng)變兩種方式制備應(yīng)變硅材料,并分別進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)研究。
針對STI工藝誘生應(yīng)變實(shí)驗(yàn),通過機(jī)理分析,對有源區(qū)的長度 Lg,STI區(qū)的長度 Lsti等關(guān)鍵尺寸及工藝方法進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計(jì),其中有源區(qū)長度 Lg設(shè)計(jì)為0.45?m-2?m。為保證實(shí)驗(yàn)的精確度,實(shí)驗(yàn)中針對各項(xiàng)關(guān)鍵工藝進(jìn)行了控制研究。對實(shí)驗(yàn)獲得的樣品,采用SEM(掃描
3、電鏡)和HXRD(高分辨X射線雙晶衍射)進(jìn)行測試,結(jié)果表明STI技術(shù)使Si材料在沿表面方向上產(chǎn)生了壓應(yīng)變,并且應(yīng)變的大小與隔離槽間距密切相關(guān),這與理論分析吻合。
對于氮化硅蓋帽工藝誘生應(yīng)變實(shí)驗(yàn),采用了兩種淀積方式—LPCVD(低壓化學(xué)氣相淀積)和高頻PECVD(高頻等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積)。對于結(jié)果的測試與表征,采用高分辨X射線雙晶衍射儀,通過進(jìn)行(004)對稱衍射和(111)斜對稱衍射,得到材料在沿表面方向和垂直表面方向上
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