基于CFD的硅基應(yīng)變材料生長動力學(xué)研究.pdf

1、硅MOS器件尺寸遵循摩爾定律不斷縮小，現(xiàn)已接近其物理極限。硅基應(yīng)變材料(鍺硅和應(yīng)變硅)以遷移率高、能帶結(jié)構(gòu)可調(diào)、且與傳統(tǒng)的體硅工藝兼容等諸多優(yōu)點，成為保持半導(dǎo)體行業(yè)繼續(xù)遵循摩爾定律發(fā)展的新材料技術(shù)。
　　 論文討論了硅基應(yīng)變材料生長動力學(xué)，研究了硅基應(yīng)變技術(shù)的原理，深入討論了硅基應(yīng)變材料的能帶結(jié)構(gòu)以及其傳輸特性，解釋了硅基應(yīng)變材料提高遷移率的原理。
　　 論文深入研究了硅基應(yīng)變材料CVD生長的邊界層理論、Grove理論及

2、菲克第一定律?；贑VD生長動力學(xué)的計算流體動力學(xué)理論，論文重點研究了硅基應(yīng)變材料CVD生長動力學(xué)中的計算流體動力學(xué)物理參數(shù)模型。
　　 采用計算流體動力學(xué)軟件FLUENT，論文構(gòu)建了基于RPCVD技術(shù)的反應(yīng)室腔體模型，定義了反應(yīng)室腔體模型的氣體進出口邊界條件和壁面邊界條件。
　　 利用FLUENT軟件，論文模擬仿真了反應(yīng)室腔體的溫度分布、氣體濃度分布、壓力分布和氣體速度矢量分布，分析了進口流速、托盤轉(zhuǎn)速和反應(yīng)室壓強對溫