硅基應變與弛豫材料的CVD生長動力學模型研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、SiGe／Si異質(zhì)材料的應用越來越廣泛,質(zhì)量良好的SiGe薄膜成為其應用的基礎(chǔ)。目前生長SiGe薄膜的方法有多種,其中CVD法的使用較為常見。SiGe薄膜的生長過程非常復雜,與多個因素相關(guān),如溫度、壓強、氣源、流量等,很多研究者都對其生長過程及生長動力學進行了研究,取得了不少成果。
　　 本文主要介紹了硅基應變、弛豫材料的生長機理、生長方法、生長動力學研究方面的研究。采用了RPCVD生長技術(shù),所采用的氣源為SiH4、SiH2Cl

2、2、GeH4和H2。生長溫度分別為625℃、900℃,通過流量及溫度的改變來得到不同的淀積速率。
　　 根據(jù)Grove理論以及菲克第一理論,本文首次提出并建立了適用于硅基應變及弛豫薄膜材料的CVD生長動力學模型。與以前鍺硅／硅異質(zhì)結(jié)材料生長動力學模型僅考慮表面反應控制不同,本文同時考慮了表面反應和氣相傳輸兩種控制機制,給出了兩種控制機制極限情況下的模型,該模型不僅適用于低溫鍺硅／硅應變異質(zhì)結(jié)材料生長的表征,也適用于表征高溫鍺硅／

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